发明专利已授权

基于头发丝作为碳源使用MPCVD法生长单晶金刚石的方法

📄 申请号：CN201711353968.2 📄 发布日：2025/11/14

著录项目信息

申请日

2017-12-15

公开号

CN108070842A

公开日

2018-05-25

申请人

武汉工程大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C16_27

IPC 分类号

C23C16_27 , C23C16_517 ,

技术画像

所属领域

化学气相沉积化学气相沉积单晶金刚石碳材料

应用场景

超硬材料, 光学窗口, 半导体散热, 精密加工, 珠宝首饰

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摘要

本发明公开了一种基于头发丝作为碳源使用MPCVD法生长单晶金刚石的方法，该方法包含以下步骤：第一步：提供生产单晶金刚石的合成装置和固定样品台；第二步：将成捆头发丝插入固定样品台上的插口中，将固定样品台放入反应腔内，向腔体内通入氢气形成等离子体，利用等离子体对头发丝进行灼烧，使其气化；第三步，将气化的气体收集并纯化后通入另一反应腔内；第四步：沉积单晶金刚石完成。本发明利用微波等离子体化学气相沉积法高温灼烧头发丝使其气化，利用其碳源生产单晶金刚石，并获得了质量较好的单晶金刚石。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20191217

✅ 授权

20180619

?? 实质审查的生效：

20180525

📄 公开

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