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本发明公开了一种提高CMOS图像传感器对比度的非线性列级ADC，包括非线性斜坡发生器和计数器连接作为同一时钟输入，斜坡发生器的输出端连接比较器正输入端，比较器的负输入端连接像素电压采样，比较器的输出端依次连接锁存器和寄存器，寄存器还连接计数器，所述寄存器用于保存计数器的值并且输出结果，本发明还公开了一种提高CMOS图像传感器对比度的方法，不仅提高了CMOS图像传感器的对比度，还可有效的识别无透镜成像系统下的细胞图像。

本发明公开了用于CMOS图像传感器的有源像素摆幅扩展方法，解决有源像素单元在电信号输出过程中由于阈值损失等原因引起的摆幅受限问题，其特征在于，通过开关切换采样保持电容的下极板方法，使得在像素单元采样时，采样保持电容的下极板连接到地电平或低电压上,在像素单元输出时,采样保持电容的下极板连接到电源电平或高电压上,实现列线上对光电信号的摆幅提升。为确保此方法对像素单元填充因子的影响，开关切换与高低电压的实现均在有源像素单元面阵外实现。本发明提出基于面阵外电压可编程自举的摆幅提升机制，为大面阵大满阱有源像素CMOS图像传感器提供了解决方案，保证了有源像素电路对满阱电荷的完全响应，提升了CMOS图像传感器的满阱能力和动态范围。

本发明公开了一种背照式CMOS图像传感器，包括：N个光电二极管；一个传送开关，所述传送开关包括一个栅极以及所述栅极下方的N个彼此电隔离的沟道区；以及N个浮空节点，其中所述N个光电二极管中的每一个通过所述传送开关的对应的一个沟道区连接到所述N个浮空节点中的对应的一个。

本发明提供一种背照式图像传感器，背照式图像传感器包括：感光器件层、金属互连层、微透镜阵列、信号处理与电压转换电路阵列及电致发光薄膜阵列。本发明的背照式图像传感器通过在微透镜上设置电致发光薄膜，且电致发光薄膜外接可以放大光信号的信号处理与电压转换电路，可以在光线很微弱的条件下输出得到非常清晰的图像，使得所述图像传感器在光线较弱的暗环境下也可以正常使用，大大拓展了背照式图像传感器的使用范围；同时，本发明的背照式图像传感器不需要滤光片。

描述了用于CMOS图像传感器(CIS)应用的采样的带隙参考生成的技术。例如，CIS包括像素阵列、一个或多个像素模数转换器(ADC)和采样的带隙参考发生器，所有这些都紧密地集成在一个芯片上。ADC依靠来自带隙参考发生器的稳定参考电平用于执行像素阵列的像素转换。采样的带隙参考生成器的实施例可以根据参考生成周期操作。每个周期可以包括第一部分和第二部分，在第一部分中，有源核心动态地稳定带隙参考电平，在第二部分中，核心被去激活，并且带隙参考电平基于该周期的先前的第一部分期间获得的采样的电平被输出。可以控制周期时序，以实现参考电平的充分动态稳定，同时减少来自核心的光子发射。