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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN202410815796.X | 专利名称: | 一种用于光电器件的NiO半导体的制备方法 |
申请日: | 2024-06-24 | 申请/专利权人 | 山东科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省青岛市黄岛区前湾港路579号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L21/368分类检索 电器专利转让搜索 |
公开/公告日: | 2024-07-23 | 转让价格: | 面议 【平台担保交易】 |
公开/公告号: | CN118380326A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要:本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种用于光电器件的NiO半导体的制备方法。本发明的制备方法,采用化学沉淀技术制备均一、高结晶度的NiO纳米颗粒,利用双氧水和冷冻干燥处理工艺,并过滤控制粒径大小,再分散到溶剂中,获得稳定的极性和非极性NiO胶体分散系,有利于在制备光电器件时采用简单的低温旋涂法获得高质量的NiO半导体。双氧水能够改善NiO表面电位分布,提高纳米颗粒的稳定性,减小团聚,同时提高NiO纳米颗粒中Ni3+的含量,提高NiO半导体的电导率。通过反复冷冻和超声处理工艺,保证超声处理总时长达6~8小时,减少颗粒团聚,提高NiO纳米分散系的稳定性。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |