发明专利已授权

一种用于光电器件的NiO半导体的制备方法

📄 申请号：CN202410815796.X 📄 发布日：2025/09/19

著录项目信息

申请日

2024-06-24

公开号

CN118380326A

公开日

2024-07-23

申请人

山东科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_368

IPC 分类号

H01L21_368 , B82Y30_00 , B82Y40_00 , B05D7_24 , B05D1_00 ,

技术画像

所属领域

半导体材料半导体材料薄膜制备技术光电材料

应用场景

光电器件, 光电探测器, 太阳能电池, 发光二极管, 显示器件

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摘要

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种用于光电器件的NiO半导体的制备方法。本发明的制备方法，采用化学沉淀技术制备均一、高结晶度的NiO纳米颗粒，利用双氧水和冷冻干燥处理工艺，并过滤控制粒径大小，再分散到溶剂中，获得稳定的极性和非极性NiO胶体分散系，有利于在制备光电器件时采用简单的低温旋涂法获得高质量的NiO半导体。双氧水能够改善NiO表面电位分布，提高纳米颗粒的稳定性，减小团聚，同时提高NiO纳米颗粒中Ni3+的含量，提高NiO半导体的电导率。通过反复冷冻和超声处理工艺，保证超声处理总时长达6~8小时，减少颗粒团聚，提高NiO纳米分散系的稳定性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20240910

✅ 授权

20240809

?? 实质审查的生效：

20240723

📄 公开

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