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| 专利/申请号: | CN202410815796.X | 专利名称: | 一种用于光电器件的NiO半导体的制备方法 | 
| 申请日: | 2024-06-24 | 申请/专利权人 | 山东科技大学 | 
| 专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省青岛市黄岛区前湾港路579号 | 
| 专利状态: | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号: | H01L21/368 分类检索 | 
| 公开/公告日: | 2024-07-23 | 转让价格: | 【平台担保交易】 | 
| 公开/公告号: | CN118380326A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 | 
| 浏览量: | 9 | 所属领域: | 电器专利转让搜索 | 
应用场景:太阳能电池透明电极优化;OLED显示器空穴注入层制备;钙钛矿光伏电池界面修饰;柔性可穿戴电子设备导电薄膜开发
摘 要:本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种用于光电器件的NiO半导体的制备方法。本发明的制备方法,采用化学沉淀技术制备均一、高结晶度的NiO纳米颗粒,利用双氧水和冷冻干燥处理工艺,并过滤控制粒径大小,再分散到溶剂中,获得稳定的极性和非极性NiO胶体分散系,有利于在制备光电器件时采用简单的低温旋涂法获得高质量的NiO半导体。双氧水能够改善NiO表面电位分布,提高纳米颗粒的稳定性,减小团聚,同时提高NiO纳米颗粒中Ni3+的含量,提高NiO半导体的电导率。通过反复冷冻和超声处理工艺,保证超声处理总时长达6~8小时,减少颗粒团聚,提高NiO纳米分散系的稳定性。
| 交易方 | 企业 | 个人 | 
| 买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) | 
| 专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
| 专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) | 
| 解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
| 专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) | 
| 日期 | 法律信息 | 备注 | 
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 | 
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