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摘 要:本发明提供一种光刻效率调节方法、装置、服务器及计算机可读存储介质,方法包括获取包括聚焦深度的第一范围及曝光剂量的第一范围的第一工艺窗口;选择参考聚焦深度,获取与参考聚焦深度相对应的参考透镜数值孔径;选择包括聚焦深度的第二范围及曝光剂量的第二范围的第二工艺窗口,曝光剂量的第二范围与曝光剂量的第一范围相同,且聚焦深度的第二范围的下限小于参考聚焦深度;在聚焦深度的第二范围内,选择工作聚焦深度,获取与工作聚焦深度相对应的工作透镜数值孔径,且工作透镜数值孔径大于参考透镜数值孔径。本发明可减小曝光时间,提高光刻效率、增加光刻机的产能、降低生产成本。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201811540028.9 | 专利名称: | 光刻效率调节方法、装置、服务器及计算机可读存储介质 |
申请日: | 2018-12-17 | 申请/专利权人 | 德淮半导体有限公司 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G03F7/20搜分类 光刻机 半导体光刻工艺 半导体设备搜索 |
公开/公告日: | 2019-04-19 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN109656102A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |