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专利名称：光刻效率调节方法、装置、服务器及计算机可读存储介质申请号：2018115400289 转让价格：面议收藏
法律状态：已下证类型：发明关键词：光刻机半导体光刻工艺半导体设备相似专利发布日：2024/09/12
摘要：本发明提供一种光刻效率调节方法、装置、服务器及计算机可读存储介质，方法包括获取包括聚焦深度的第一范围及曝光剂量的第一范围的第一工艺窗口；选择参考聚焦深度，获取与参考聚焦深度相对应的参考透镜数值孔径；选择包括聚焦深度的第二范围及曝光剂量的第二范围的第二工艺窗口，曝光剂量的第二范围与曝光剂量的第一范围相同，且聚焦深度的第二范围的下限小于参考聚焦深度；在聚焦深度的第二范围内，选择工作聚焦深度，获取与工作聚焦深度相对应的工作透镜数值孔径，且工作透镜数值孔径大于参考透镜数值孔径。本发明可减小曝光时间，提高光刻效率、增加光刻机的产能、降低生产成本。

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