发明专利已授权

一种用于相变存储器的Mg-Sn-Sb薄膜材料及其制备方法

📄 申请号：CN201910194319.5 📄 发布日：2026/06/30

著录项目信息

申请日

2019-03-14

公开号

CN110010761B

公开日

2023-04-18

申请人

江苏理工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10B63_10

IPC 分类号

H10B63_10

技术画像

所属领域

相变存储材料相变存储材料半导体材料薄膜制备技术

应用场景

相变存储器, 非易失性存储器, 半导体存储芯片, 数据存储

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摘要

本发明涉及微电子材料领域，具体涉及一种用于相变存储器的Mg‑Sn‑Sb薄膜材料及其制备方法。所述Mg‑Sn‑Sb的结构通式为MgxSnySbz，其中x+y+z＝100，0.1

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230418

✅ 授权

20190806

?? 实质审查的生效：

20190712

📄 公开

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