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24小时咨询热线摘 要：本发明涉及微电子材料领域，具体涉及一种用于相变存储器的Mg‑Sn‑Sb薄膜材料及其制备方法。所述Mg‑Sn‑Sb的结构通式为MgxSnySbz，其中x+y+z＝100，0.1 著 录 项：
专利/申请号：
CN201910194319.5
专利名称：
一种用于相变存储器的Mg-Sn-Sb薄膜材料及其制备方法
申请日：
2019-03-14
申请/专利权人
江苏理工学院
专利类型：
发明
地址：
江苏省常州市中吴大道1801号
专利状态：
已下证
查询审查信息
分类号：
H10B63/10搜分类
塑料搜索
公开/公告日：
2023-04-18
转让价格：
面议
公开/公告号：
CN110010761B
交易状态：
等待洽谈
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| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
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| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
