发明专利已授权

一种In-Bi-Sb相变薄膜材料及其制备方法和应用

📄 申请号：CN201910193766.9 📄 发布日：2026/06/30

著录项目信息

申请日

2019-03-14

公开号

CN110010760B

公开日

2023-11-07

申请人

江苏理工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10N70_20

IPC 分类号

H10N70_20

技术画像

所属领域

相变存储材料相变存储材料半导体薄膜材料信息存储技术

应用场景

相变存储器, 光存储器件, 电子存储设备, 半导体器件

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摘要

本发明涉及微电子材料领域，具体涉及一种In‑Bi‑Sb相变薄膜材料及其制备方法和应用。In‑Bi‑Sb相变薄膜材料中In‑Bi‑Sb的结构通式为InxBiySb100‑x‑y，其中0.1

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种协同脱除VOCs和Hg0的方法

当前第 / 件

基于多流形对偶图正则化非负矩阵分解的多视图聚类方法

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