发明专利 已授权

一种直拉硅单晶提拉速度-晶体直径辨识模型建模方法

📄 申请号:CN201910026707.2 📄 发布日:2026/07/23

著录项目信息

申请日
2019-01-11
申请人
西安理工大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

半导体晶圆制造, 集成电路制造, 太阳能电池制造

摘要

本发明一种直拉硅单晶提拉速度‑晶体直径辨识模型建模方法,具体按照如下步骤进行:步骤1、多次采样,记录直拉硅单晶在不同采样时刻k下的提拉速度和晶体直径,形成不同采样时刻k下的多组数据对;步骤2、确定得到具体的关于直拉硅单晶的提拉速度和晶体直径的离散时间非线性系统模型表达式;步骤3、对DBN网络进行训练;步骤4、将训练好的DBN网络作为直拉硅单晶提拉速度‑晶体直径辨识模型。本发明一种直拉硅单晶提拉速度‑晶体直径辨识模型建模方法解决了现有技术采用DBN网络进行训练存在的不足。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:66 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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