发明专利已授权

掺氮改性的相变薄膜材料及其制备方法

📄 申请号：CN201410123117.9 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2014-03-28

公开号

CN103887430A

公开日

2014-06-25

申请人

江苏理工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L45_00

IPC 分类号

H01L45_00 , C23C14_35 , C23C14_06 ,

技术画像

所属领域

半导体材料半导体材料薄膜材料相变存储材料

应用场景

相变存储器, 非易失性存储器件, 半导体集成电路, 光存储器件

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摘要

本发明公开了一种掺氮改性的相变薄膜材料及其制备方法，相变薄膜材料由Zn、Sb、N三种元素组成，其化学组成通式为Nx（Zn15Sb85）1-x，其中0.29≤x≤0.49。制备时通过在射频溅射沉积Zn15Sb85薄膜的过程中同时通入氩气和氮气，得到的相变薄膜材料中掺杂氮元素。本发明的掺氮改性相变薄膜材料与纯的Zn15Sb85薄膜相比，改性后的薄膜具有较快的晶化速度，大大提高相变存储器的存储速度；而且改性后的薄膜的晶化温度和激活能较高，数据保持能力得到加强；掺氮改性相变薄膜材料的晶态电阻和非晶态电阻更高，使得RESET功耗降低，有限降低用其制作的相变存储器的操作功耗。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种LED照明可调光可控制节点控制器

当前第 / 件

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同领域国内专利 · IPC: (H01L45_00)

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议价

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