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发明专利
已授权
一种Ga
2
O
3
相结纳米棒及其制备方法
📄 申请号:CN201710996381.7
📄 发布日:2026/07/23
著录项目信息
申请日
2017-10-23
公开号
CN107697945B
公开日
2019-08-06
申请人
浙江理工大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
C01G15_00
IPC 分类号
C01G15_00
,
B82Y40_00
,
技术画像
所属领域
半导体材料
半导体材料
纳米材料
氧化物半导体
应用场景
功率半导体器件, 紫外光电探测器, 气体传感器, 光电子器件
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摘要
本发明属于纳米技术领域,具体涉及一种Ga2O3相结纳米棒及其制备方法,Ga2O3相结为α‑Ga2O3/β‑Ga2O3相结,α‑Ga2O3相构成内核,β‑Ga2O3相环绕在α‑Ga2O3相的外围;所述α‑Ga2O3/β‑Ga2O3相结为纳米棒状,α‑Ga2O3/β‑Ga2O3相结纳米棒为四棱柱,横截面为菱形。本发明的Ga2O3相结纳米棒采用水浴沉淀法产量丰富、制备过程简单、成本低、重复性好,可以实现工业上的批量生产,实现产业化。本发明的α‑Ga2O3/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列分布均匀,纳米柱的长径比可控,在气敏传感器、光催化和电催化析氢中具有广泛的应用前景。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
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