发明专利已授权

一种GaN纳米颗粒的制备方法

📄 申请号：CN201710471035.7 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2017-06-20

公开号

CN107089646A

公开日

2017-08-25

申请人

陕西师范大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01B21_06

IPC 分类号

C01B21_06 , B82Y30_00 ,

技术画像

所属领域

半导体材料半导体材料纳米材料化合物半导体

应用场景

光电子器件, 电力电子器件, LED芯片, 射频器件, 传感器

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摘要

本发明公开了一种GaN纳米颗粒的制备方法，该方法将硝酸镓和三聚氰胺的混合物依次在惰性气氛和空气气氛下高温焙烧，即可得到GaN纳米颗粒。本发明方法制备的GaN纳米颗粒纯度高，制备过程简单、容易操作，成本低廉，具有工业化应用前景。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20190628

✅ 授权

20170919

?? 实质审查的生效：

20170825

📄 公开

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