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发明专利
已授权
一种碳化硅连续长晶装置及长晶工艺
📄 申请号:CN202311045447.6
📄 发布日:2026/07/03
著录项目信息
申请日
2023-08-18
公开号
CN116988145B
公开日
2026-06-09
申请人
南通罡丰科技有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
C30B23_00
IPC 分类号
C30B23_00
,
C30B29_36
,
技术画像
所属领域
半导体材料
半导体材料
晶体生长技术
晶体生长设备
应用场景
半导体衬底, 功率器件, 新能源汽车, 5G通信, 射频器件
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摘要
本发明提供一种碳化硅连续长晶装置及长晶工艺,包括生长室、容纳装置、翻转长晶装置等装置,翻转长晶装置包括承载板以及籽晶连接工件,在碳化硅气相生长的过程中,控制翻转长晶装置间断转动,碳化硅晶棒能够在两个籽晶连接工件两侧交替连续长出,在生长的过程提拉承载板朝着第二导料开口方向移动,能够将第一个碳化硅晶棒从第二导料开口处提拉进行取料,第二个碳化硅晶棒在底端的籽晶连接工件表面连续生成,完成碳化硅晶棒的交替连续生长,提高了碳化硅晶棒生长的效率。该发明能够实现碳化硅晶棒的连续生长,极大地提高了碳化硅晶棒的生长效率。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
一种针对生物纹理特征识别算法安全性测试的重构方法及其应用
当前第 / 件
一种节能型化工生产用冷凝装置
同领域国内专利 · IPC: (C30B23_00)
C30B23_00
C30B23_02
覆盖
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📋 交易方式:
委托待转让
📌 交易状态:
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