发明专利 已授权

一种碳化硅连续长晶装置及长晶工艺

📄 申请号:CN202311045447.6 📄 发布日:2026/07/03

著录项目信息

申请日
2023-08-18
公开号
CN116988145B
公开日
2026-06-09
申请人
南通罡丰科技有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

半导体衬底, 功率器件, 新能源汽车, 5G通信, 射频器件

摘要

本发明提供一种碳化硅连续长晶装置及长晶工艺,包括生长室、容纳装置、翻转长晶装置等装置,翻转长晶装置包括承载板以及籽晶连接工件,在碳化硅气相生长的过程中,控制翻转长晶装置间断转动,碳化硅晶棒能够在两个籽晶连接工件两侧交替连续长出,在生长的过程提拉承载板朝着第二导料开口方向移动,能够将第一个碳化硅晶棒从第二导料开口处提拉进行取料,第二个碳化硅晶棒在底端的籽晶连接工件表面连续生成,完成碳化硅晶棒的交替连续生长,提高了碳化硅晶棒生长的效率。该发明能够实现碳化硅晶棒的连续生长,极大地提高了碳化硅晶棒的生长效率。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

同领域国内专利 · IPC: (C30B23_00)

C30B23_00 C30B23_02 覆盖2个领域
议价
不含过户费

📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:42 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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