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发布日 申请号 专利名称 法律状态 类型 价格 操作
2024/10/16 2019100632127 一种二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器及其制备方法 复制

领域:报警器 硫化 硫化锌  分类: H10N70/20

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2025/03/12 2020103405791 利用电脉冲调控的低温可变电阻器 复制

领域:冰箱冰柜  分类: H10N70/20

已下证 发明 15500.0元 收藏
2024/01/23 2019101660302 一种基于氧化钽/二维黒砷磷/氧化钽的三层异质阻变存储器及其制备方法 复制

领域: 三 港口  分类: H10N70/20

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2024/01/23 2021103335261 基于二维氧化钼/硫化钼叠层结构的自选通器件及其制造方法 复制

领域:选 器件 硫化  分类: H10N70/20

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2023/10/17 202110861108X 一种低功耗纳米SnS2柔性阻变存储器及其制备方法 复制

领域:Sn 低 港口 低功耗 纳米  分类: H10N70/20

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2023/10/17 2019107679800 一种柔性Ag/MoS2/Cu阻变式存储器的制备方法 复制

领域:C 港口 MoS2  分类: H10N70/20

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2023/10/17 2021104115752 一种Ag/MoSe2-PMMA/Cu阻变存储器及其制备方法 复制

领域:SE C P 港口 PMM  分类: H10N70/20

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2024/09/29 2019109345679 一种氧化铈忆阻器薄膜的制备方法 复制

领域:半导体 微电子薄膜 电阻存储器 内存硬盘 膜的制备方法  分类: H10N70/20

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2025/02/05 2020108707637 一种格点阵列复合电极电阻存储器薄膜制备方法 复制

领域:半导体 微电子薄膜 内存硬盘  分类: H10N70/20

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2023/08/21 2019106764083 一种基于全无机钙钛矿薄膜的柔性多态阻变存储器及其一步溶液法制备方法 复制

领域:塑料 钙 港口  分类: H10N70/20

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2025/04/21 2019101461690 一种多级相变V2O5薄膜材料及其制备方法和应用 复制

领域:塑料  分类: H10N70/20

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