摘 要:一种基于氧化钽/二维黒砷磷/氧化钽的三层异质阻变存储器及其制备方法,由上电极Ru、阻变层氧化钽/二维黒砷磷/氧化钽和下电极TiN构成,上下氧化钽层成分均为TaOx,其中2 著 录 项:
专利/申请号:
CN201910166030.2
专利名称:
一种基于氧化钽/二维黒砷磷/氧化钽的三层异质阻变存储器及其制备方法
申请日:
2019-03-06
申请/专利权人
天津理工大学
专利类型:
发明
地址:
天津市西青区宾水西道391号
专利状态:
已下证
查询审查信息
分类号:
H10N70/20搜分类
三 港口搜索
公开/公告日:
2023-05-02
转让价格:
面议
公开/公告号:
CN109888092B
交易状态:
等待洽谈
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交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2023/05/02 | 授权 | |
2019/07/09 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 45/00 专利申请号: 201910166030.2 申请日: 2019.03.06 |
2019/06/14 | 公开 |