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摘 要:本发明公开了一种二维氧化钼/硫化钼叠层结构的自选通器件及其制造方法,涉及微电子技术领域,包括上电极层、下电极层、功能层,功能层材料位于上电极层和下电极层之间。其中,所述功能层又由介质层I、介质层II、依次堆叠构成;所述介质层I为二维氧化钼(α‑MoO3),介质层II为二维硫化钼(MoS2)的半导体材料。与现有技术相比,本发明通过叠层方式形成的自选通器件在不扩大占用面积的情况下,解决了交叉集成阵列中的串扰问题;介质层Ⅰ与介质层Ⅱ的堆叠结构实现了自选通性能,显示出良好的非线性特性,其非线性度可以达到105,微缩性极强,工艺简单,节约成本。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110333526.1 | 专利名称: | 基于二维氧化钼/硫化钼叠层结构的自选通器件及其制造方法 |
申请日: | 2021-03-29 | 申请/专利权人 | 天津理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 天津市西青区宾水西道391号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H10N70/20搜分类 选 器件 硫化搜索 |
公开/公告日: | 2023-05-23 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN113241404B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2023/05/23 | 授权 | |
2021/08/27 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 45/00 专利申请号: 202110333526.1 申请日: 2021.03.29 |
2021/08/10 | 公开 |