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摘 要:本发明公开了一种Ag/MoSe2‑PMMA/Cu阻变存储器的制备方法,具体为:采用水热法合成麻团状单层MoSe2团簇,将其采用真空抽滤法制备MoSe2薄膜,并将该薄膜与PMMA薄膜复合形成MoSe2‑PMMA薄膜作为阻变功能层材料制备Ag/MoSe2‑PMMA/Cu阻变存储器。发明将单层MoSe2团簇与PMMA形成复合功能层制备Ag/MoSe2‑PMMA/Cu阻变存储器,PMMA薄膜可以将MoSe2薄膜封装在衬底上,使MoSe2薄膜不易被氧化,并且旋涂制备PMMA薄膜时会将MoSe2薄膜凹陷部分填满,使MoSe2‑PMMA复合薄膜厚度均匀且表面光滑,从而提高了阻变存储器的耐受性。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110411575.2 | 专利名称: | 一种Ag/MoSe2-PMMA/Cu阻变存储器及其制备方法 |
申请日: | 2021-04-16 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H10N70/20搜分类 SE C P 港口 PMM搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |