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摘 要:本发明的目的在于提供了一种柔性Ag/MoS2/Cu阻变式存储器的制备方法,该存储器包括从下往上依次设置的基片、牺牲层、底电极、阻变层和顶电极;基片为玻璃片,牺牲层为可溶性淀粉,阻变层为水热法制备的MoS2纳米球,顶底电极分别为金属银和铜。本发明的制备方法通过在玻璃片与底电极之间旋涂一层可溶性淀粉薄膜,最后将淀粉薄膜在去离子水中溶解,使Ag/MoS2/Cu阻变存储器和玻璃片分离,可将器件转移到任意衬底上。本发明所选用的牺牲层材料成本低、无毒性,转移过程简单,转移后的器件表现出了非易失性双极阻变存储特性,转移过程对器件的阻变特性没有影响,为MoS2在柔性新型二维材料阻变存储器的制备提供了可能性。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910767980.0 | 专利名称: | 一种柔性Ag/MoS2/Cu阻变式存储器的制备方法 |
申请日: | 2019-08-20 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H10N70/20搜分类 C 港口 MoS2搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |