本实用新型公开了一种安全应急LED应急照明灯具，包括主机箱和灯头，灯头固定连接在主机箱的上端，安全应急LED应急照明灯具还包括连接件，连接件固定在墙面上，连接件的远离墙面的一端可拆卸安装有安装板，卡口远离连接件的一端面上开设有盲孔，主机箱上固定连接有与盲孔相匹配的连接柱，盲孔的底壁固定连接有弹簧，弹簧靠近主机箱的一端固定连接有挡板，挡板远离弹簧的一端放置有多个限位珠，连接柱上开设有与限位珠相匹配的限位槽。与现有技术相比，本实用新型的一种安全应急LED应急照明灯具，其能够实现快速的安装和拆卸，在维护过程中，减少维护人员的工作量，减轻维护人员的工作负担，有利于提升维护效率。
📄 2025218182845
📂 F21V21_00
👤 江苏聚电电气有限公司
📅 2025-08-26
本申请涉及楼宇LED装饰灯技术领域，且公开了一种楼宇LED装饰灯，本方案包括安装板，所述安装板的左右两侧均固定连接有固定块，两个固定块的中心处均适配有膨胀螺丝，所述安装板的前侧固定连接有托盒，所述托盒的底侧内壁固定安装有金属触针，所述托盒的内部放置有装饰灯本体且与金属触针电性连接，本申请中通过设置托盒，直接将装饰灯本体正面朝外放置于托盒内，利用托盒可以将装饰灯本体底部包围住，从而防止掉落，同时，金属触针的设计可以避免多个电线之间的繁琐电性连接，利用此方式，可以十分便捷的对装饰灯本体进行取放，有效节约了时间，有利于推广使用。
📄 2025216432371
📂 F21V21_00
👤 安徽艺阁广告传媒有限公司
📅 2025-08-04
本发明涉及缺陷检测技术领域，具体涉及一种基于光学检测的Mini LED晶圆外观缺陷检测方法，用于测试瑕疵、缺陷或污点的存在，其中该方法基于晶粒的矩形特征将晶圆进行晶粒区域和非晶粒区域的划分，基于纹理信息和灰度分布检测晶粒区域和非晶粒区域中的缺陷区域，根据缺陷区域中所检测到的直线数量优化霍夫直线检测的阈值，以检测到有效直线，减少冗余直线信息，进而根据有效直线的位置和晶圆圆心位置确认每个缺陷区域的缺陷类型，使得自动检测在快速简单的前提下，保证了缺陷类型的检测准确性。
📄 2022112139166
📂 G01N21_88
👤 南通艾美瑞智能制造有限公司
📅 2022-09-30
本申请提供一种多频CMUT器件的制造方法及多频CMUT器件，包括选用高浓度掺杂的硅晶圆作为基底制作硅基层；在所述硅基层的上表面设置绝缘层；在所述绝缘层的上表面沉积非晶硅制备牺牲层并定义CMUT单元；所述牺牲层包括圆形主体和与所述圆形主体连接的多个释放通道；在所述CMUT单元上沉积振动薄膜；在各个所述释放通道的开孔位置开设腐蚀孔，对牺牲层进行释放，形成空腔；在所述牺牲层释放完毕后密封所述腐蚀孔；利用光刻蚀工艺围绕所述圆形主体形成的空腔刻蚀预设宽度的支撑壁；深腐蚀操作至硅基层，以便沉积底电极；沉积电极及器件之间的连接导线，同时在所述振动薄膜的上表面沉积顶电极。
📄 2020104314075
📂 B81B3_00
👤 内江师范学院, 四川博康达智能电子系统有限公司
📅 2020-05-20
本发明是一种基于环形芯同轴螺旋波导光纤的粒子光操纵器件。其特征是：所述器件由一段环形芯同轴螺旋波导光纤1组成，并且光纤的纤端经过研磨形成纤端圆锥台2；该环形芯同轴螺旋波导光纤1包含包层3、环形纤芯4和一个由多个螺旋波导5组成的中央纤芯6。一方面，该器件可以通过环形芯同轴螺旋波导光纤1纤端出射强聚焦环形光场10，在纤端外的聚焦点附近实现对粒子11的稳定三维俘获，实现对粒子11的定位和定轴功能；另一方面，也可以通过控制螺旋纤芯出射的相位涡旋光束14的能量大小来实现粒子11的定轴旋转15和旋转弹射16。本发明可用于光信息传输、光学微操纵、显微成像、药物颗粒等微小粒子的光操纵以及光纤集成器件应用等领域。
📄 2018115201675
📂 G02B6_02
👤 桂林电子科技大学
📅 2018-12-12
本发明提供的是一种拉锥扭转型双包层等离子激发光纤器件，其特征是：它由一段内包层嵌有纳米金属管的双包层光纤，插入石英管绝热拉锥至预设直径后，均匀扭转拉丝，得到一段具有螺旋金属纳米管的等离子激发光纤器件；在绝热拉锥的过程中，纤芯逐渐变细，将不再能够束缚住光波，因此，单模光波由纤芯内逐渐绝热转换到具有金属纳米管的内包层内传输；内包层内的螺旋金属纳米管在光波的传输过程中被分布式激发等离子波，形成光波和等离子波混合的光纤器件。本发明将等离子波导集成到光纤的纤芯内，并采用螺旋结构有效激发等离子波，实现了光波和等离子波混合共传的目的，可拓展形成新型光纤光电器件。
📄 2021109872689
📂 G02B6_122
👤 桂林电子科技大学
📅 2021-08-26
本发明涉及一种具有双侧面超结槽栅LDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件由双侧面超结槽栅区和LDMOS导电区组成，利用二氧化硅隔离层将双侧面超结槽栅区和LDMOS导电区分离，双侧面超结槽栅区由槽栅P+接触区、P型辅助耗尽区、漏极N‑buffer区、漏极N+区、漏极P+区组成，LDMOS导电区由源极P+区、源极N+区、P‑body、漂移区、漏极N‑buffer区、漏极N+区组成。本发明在传统LDMOS器件结构上，使用双侧面超结槽栅技术，在保证获得较高的击穿电压下，能够大幅降低器件的比导通电阻和增大器件的跨导，最终提高器件的Baliga优值FOM，并打破了硅极限。
📄 2021111392001
📂 H10D30_65
👤 重庆邮电大学
📅 2021-09-26
本发明提出一种集成表面和体内反并联二极管的LIGBT器件，属于功率半导体技术领域。本发明的LIGBT器件集成了表面和体内双二极管，其中P+表面层为阳极，P型浮空层为漂移区，N‑隔离区为漂移区，N+表面层为阴极，构成表面二极管结构；P+表面层为阳极，P‑top区域为漂移区，N型漂移区和N‑隔离区为漂移区，N+表面层为阴极，构成体内二极管结构。该器件正向导通时，空穴可以通过体内二极管抽取，降低了器件的饱和电流密度，增强了器件的短路安全工作特性；反向导通时，体内和表面二极管同时承担反向电流；在关断时刻，体内二极管抽取存储的载流子，减小关断时间和关断损耗。
📄 2021115063906
📂 H01L29_739
👤 重庆邮电大学
📅 2021-12-10
本发明涉及一种集成四种MOSFET的RC‑LIGBT器件，属于半导体技术领域。该器件包括阴极P+区、阴极N+区、阴极P‑well区、漂移区、埋氧层、衬底、阳极P+区、阳极P‑well区、阳极N‑buffer区、普通MOS金属栅极、普通MOS栅极氧化层、阳极N+区、阳极浮空N+区、沟道MOS金属栅极、阳极辅助MOS金属栅极、阳极浮空MOS金属栅极、沟道MOS栅极氧化层、阳极辅助MOS栅极氧化层和阳极浮空MOS栅极氧化层。本发明改善了器件的反向恢复性能和反向导通性能。
📄 2022105063124
📂 H10D84_60
👤 重庆邮电大学
📅 2022-05-10
本发明涉及一种具有屏蔽效应的超结P柱和N‑沟道的4H‑SiC基VDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件包括P+多晶硅漏极、N+衬底区、P柱屏蔽区、N柱区、P‑电场终止区、二氧化硅隔离层、P+多晶硅栅电极、P+多晶硅源电极Ⅰ、P+多晶硅源电极Ⅱ、N‑沟道区和N+源区；其中P+多晶硅漏电极、N+衬底区、N柱区、P+多晶硅源电极Ⅱ、N‑沟道区和N+源区组成器件的导电区；N柱区和P‑电场终止区组成器件的漂移区；P柱屏蔽区和N柱区组成器件的横向超结。本发明在传统4H‑SiC基VDMOS器件基础上，在垂直漂移区引入超结结构、整体非对称结构以及N‑沟道区，提高了器件的击穿电压，大幅降低了米勒电容和反馈电容，提升了器件的动态性能，降低了沟道电阻和比导通电阻。
📄 2022105062653
📂 H10D62_10
👤 重庆邮电大学
📅 2022-05-10
本发明涉及一种集成双自偏置MOS低关断损耗的RC‑LIGBT器件，属于半导体技术领域。本发明的LIGBT器件，具有以下结构及性能特征：(1)反向导通MOS与低关断损耗MOS均包含N‑base﹑P‑base和N+集电极，金属栅极通过多晶硅层分别与N‑base和N+集电极短接，无需额外栅信号控制。(2)正向导通时，无负阻效应；反向导通时，当VGS,RC>VTH,反向导通MOS自动开启，器件实现反向导通；在关断时刻，器件满足VGS,FC>VTH，低关断损耗MOS开启，电子可以通过低关断损耗MOS抽取，减小了关断时间，降低了关断损耗。
📄 2022105177619
📂 H01L27_07
👤 重庆邮电大学
📅 2022-05-12
本发明涉及一种集成自偏置PMOS的低功耗LIGBT器件，属于半导体技术领域。该器件包括衬底、埋氧层、漂移区、P型埋层、普通MOS区、自偏置PMOS区以及阳极区。衬底、埋氧层、漂移区自下而上依次设置，P型埋层设置在漂移区内，被漂移区完全包裹。普通MOS区与自偏置PMOS区相邻，阳极区位于器件的右上侧。本发明通过集成自偏置PMOS区域能够在阳极电压增加时，降低器件的饱和电流；在器件关断时降低器件的关断损耗；在短路工作时提高器件的短路工作特性。
📄 2022113184775
📂 H10D12_00
👤 重庆邮电大学
📅 2022-10-26
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