发明专利已授权

一种多频CMUT器件的制造方法及多频CMUT器件

📄 申请号：CN202010431407.5 📄 发布日：2026/08/28

著录项目信息

申请日

2020-05-20

公开号

CN111559734B

公开日

2023-07-21

申请人

内江师范学院, 四川博康达智能电子系统有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

B81B3_00

IPC 分类号

B81B3_00 , B81C1_00 ,

技术画像

所属领域

微机电系统（MEMS）微机电系统（MEMS）超声换能器微纳制造工艺

应用场景

医疗超声成像, 工业无损检测, 水下通信, 流量测量, 传感器阵列

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摘要

本申请提供一种多频CMUT器件的制造方法及多频CMUT器件，包括选用高浓度掺杂的硅晶圆作为基底制作硅基层；在所述硅基层的上表面设置绝缘层；在所述绝缘层的上表面沉积非晶硅制备牺牲层并定义CMUT单元；所述牺牲层包括圆形主体和与所述圆形主体连接的多个释放通道；在所述CMUT单元上沉积振动薄膜；在各个所述释放通道的开孔位置开设腐蚀孔，对牺牲层进行释放，形成空腔；在所述牺牲层释放完毕后密封所述腐蚀孔；利用光刻蚀工艺围绕所述圆形主体形成的空腔刻蚀预设宽度的支撑壁；深腐蚀操作至硅基层，以便沉积底电极；沉积电极及器件之间的连接导线，同时在所述振动薄膜的上表面沉积顶电极。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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