本发明公开了一种具有新颖微结构的高迁移率n型纳米金刚石薄膜及其制备方法：采用热丝化学气相沉积方法(HFCVD)，在单晶硅衬底上制备纳米金刚石薄膜。以丙酮作为碳源，采用氢气鼓泡方式将碳源带入反应室腔体，生长时间约40‑60分钟，制备得到厚度1‑3μm左右的纳米金刚石薄膜，晶粒尺寸10‑30nm，薄膜中非晶碳晶界含量非常少。对该晶粒密堆积纳米金刚石薄膜进行硫离子以及氧离子注入，注入后的样品再进行低真空退火，即得到所述迁移率普遍达到400cm2/V·s以上的n型纳米金刚石薄膜。对于实现金刚石薄膜在半导体器件、光电子领域、场发射显示器等领域的应用具有十分重要的意义和价值。
📄 2018102472151
📂 C23C16_27
👤 浙江工业大学
📅 2018-03-23
本发明提供了一种硫离子注入纳米金刚石‑石墨烯复合薄膜，本发明利用热丝化学气相沉积在单晶硅衬底上制备纳米金刚石‑石墨烯复合薄膜，对制备出的复合薄膜进行硫离子注入，并对注入后的复合薄膜进行真空退火处理，即得到SNCD‑G复合薄膜，该复合薄膜具有优异的电化学活性、极低的背景电流和较宽的电势窗口，十分有利于应用在高精度的痕量检测领域。
📄 2019113520149
📂 C23C16_26
👤 浙江工业大学
📅 2019-12-25
本发明揭示了一种基于光热敏折变玻璃的波导光栅耦合器及其制备方法，该波导光栅耦合器，包括衬底材料、脊型光波导结构和光栅，所述衬底材料为光热敏折变玻璃，脊型光波导结构通过离子注入和飞秒激光烧蚀技术制备于衬底材料表面，光栅通过飞秒激光刻写技术集成制备于脊型光波导结构表面。本发明只需要运用离子注入和飞秒激光加工技术就可以实现脊型波导光栅耦合器的制备。飞秒激光加工技术既可以完成脊型波导的制备又能刻写光栅，一举两得，制备流程更加简单便捷。
📄 2019111722061
📂 G02B6_124
👤 南京邮电大学
📅 2019-11-26
本发明公开了用氮和硼改善4H-SiC MOSFET反型层迁移率的方法，属于微电子技术领域。步骤如下：A、采用离子注入工艺将五价元素氮植入到4H-SiC外延层表面；B、采用湿氧氧化工艺形成栅氧化层；C、采用扩散工艺将三价元素硼植入到外延层与氧化层的界面；扩散工艺的扩散温度为950℃，时间为1.5-2.5小时，确保硼掺杂剂在热动力的驱使下能穿透栅氧化层到达4H-SiC/SiO2界面；硼扩散工艺后，在惰性气体的保护下退火。该方法能大大减小4H-SiC/SiO2的界面态密度、提高4H-SiC MOSFET的反型层迁移率，同时稳定4H-SiC MOSFET的阈值电压。
📄 2015106288411
📂 H01L21_04
👤 安徽工业大学
📅 2015-09-28
本发明公开了用氮和硼改善4H‑SiC MOSFET反型层迁移率的方法，属于微电子技术领域。步骤如下：A、采用离子注入工艺将五价元素氮植入到4H‑SiC外延层表面；B、采用湿氧氧化工艺形成栅氧化层；C、采用扩散工艺将三价元素硼植入到外延层与氧化层的界面；扩散工艺的扩散温度为950℃，时间为1.5‑2.5小时，确保硼掺杂剂在热动力的驱使下能穿透栅氧化层到达4H‑SiC/SiO2界面；硼扩散工艺后，在惰性气体的保护下退火。该方法能大大减小4H‑SiC/SiO2的界面态密度、提高4H‑SiC MOSFET的反型层迁移率，同时稳定4H‑SiC MOSFET的阈值电压。
📄 2017111359933
📂 H01L21_04
👤 安徽工业大学
📅 2015-09-28
本发明公开了一种单晶SiC的离子注入表面改性与纳米尺度抛光方法，具体按照以下步骤进行：步骤1，对研磨后要进行抛光的晶片表面进行粗糙度测量，根据研磨后晶片表面粗糙度度决定离子注入深度；步骤2，确定操作所选用的离子注入机以后，选用Al离子进行注入，根据步骤1测量的晶片表面粗糙度和离子注入深度和离子注入能量值的比例关系，选择晶片表面粗糙度对应的离子注入能量值进行注入分次注入，使离子在注入深度上纵向都有较为均匀的分布；步骤3，将离子注入完成的晶片置于抛光机中，去除晶片离子注入的表面层，即成。本发明能主动改变脆性材料表面层的物理机械性能，降低材料的硬度和脆性，从而采用非常小的机械作用力去除。
📄 2018105481203
📂 B24B1_00
👤 西安理工大学
📅 2018-05-31
本发明公开了一种梯度电子传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法，包括玻璃衬底以及依次层叠设置在玻璃衬底上的透明导电电极、金属氧化物电子传输层、钙钛矿光吸收层、空穴传输层、金属电极，所述的金属氧化物电子传输层是利用金属元素离子注入方法形成的能级渐变同质结叠层结构。本发明工艺简单、均匀性好、重复性好且钙钛矿太阳电池效率较高。
📄 2019106835638
📂 H10K30_15
👤 陕西师范大学
📅 2019-07-26
本发明公开了一种抗总剂量辐射效应的SOI LDMOS器件加固结构。本发明通过外延方法在埋氧层2的界面生长一层薄的N‑扩展层，该N‑扩展层可吸取因辐照在埋氧层引入固定正电荷镜像产生的电子；通过离子注入方法在浅槽隔离氧化层的下表面的拐角附近形成一个P保护区，该P保护区能够降低浅槽隔离拐角附近体硅内部电场峰值，从而提高器件的横向击穿电压；通过高能离子注入方法在漂移区形成一个P‑柱区15，该P‑柱区能够起到电导调制作用，在同一耐压条件下可以提高漂移区浓度对击穿电压的变化窗口。本发明在相同耐压条件下不但降低了比导通电阻，还可以大幅度提高器件的抗总剂量性能，从而保证SOI LDMOS器件在空间辐射环境中长时间稳定工作。
📄 2022102475809
📂 H01L29_06
👤 杭州电子科技大学
📅 2022-03-14
本发明公开了一种碳化硅微沟槽中子探测器结构。本发明采用多步外延加离子注入掺杂方法在N+衬底上形成交替的N柱区和P柱区，N柱区和P柱区构成的“超结”结构能够形成空间电荷区，能显著改善传统单一外延层电场的非均匀分布，可使整个外延层范围内的纵向电场则呈现非常均匀的分布。均匀的外延层纵向电场分布能使探测器在更低的衬底工作偏压下实现灵敏区的全耗尽，可有效降低SiC微沟槽中子探测器的全耗尽工作电压，进而降低后端供电电路研发成本并，同时提高探测器和后端电路的工作可靠性。
📄 2022104062302
📂 H01L31_0352
👤 杭州电子科技大学
📅 2022-04-18
本发明公开了一种用于纳米工艺的电流源注入模型的建立方法，首先确定待评估的晶体管的具体参数，再基于所选纳米工艺在3D TCAD工具中对待评估的晶体管进行建模，通过3D TCAD仿真得到晶体管的等效饱和电压和阈值电压，通过3D TCAD仿真确定晶体管的等效有效收集长度和收集深度，确定待评估的离子类型，及其对应的线性传输能量，设定待评估的注入距离，最终得到相应的离子注入的电流源注入模型。本发明的电流源模型的建立方法基于扩散理论和晶体管原理，结合纳米工艺特点，通过晶体管有效收集长度和晶体管的等效饱和电压等解决解决纳米工艺下器件电荷收集能力有限的问题，从而建立了一种新型的面向纳米工艺的电流源注入模型。
📄 202211554037X
📂 G06F30_30
👤 电子科技大学长三角研究院(湖州)
📅 2022-12-06
本发明提供一种医用重离子加速器控制系统，包括：患者分析单元，用于对进入治疗系统的治疗仓内的患者进行分析，构建离子注入方案；离子注入控制单元，用于依据离子注入方案控制注入医用重离子加速器内的离子的量。本发明的医用重离子加速器控制系统，综合分析患者情况，以确定适应的离子注入方案，尽量保证与实际使用无偏差，避免留存离子发生的情况，有效避免能源的浪费。
📄 202411164869X
📂 A61N5_10
👤 江苏博冠信息咨询有限公司
📅 2024-08-23
本申请公开了一种基于机器视觉的晶圆半导体制造方法及系统，所述方法包括以下步骤：根据晶圆区域胶厚差异数据选择特定光照参数进行曝光，并对差异区域的显影结果对应胶体残留情况进行烘烤参数动态调整；对烘烤后的所述晶圆区域光刻胶图形进行分析后预测出刻蚀轮廓，将混合气体以线条格式通过形式实现刻蚀模拟后获得安全气体参数，对变形区域进行分级并进行刻蚀效果评定后对刻蚀操作参数进行实时调控；采用喷淋式气体对所述晶圆区域进行薄膜沉积控制操作，进行单离子‑晶格碰撞模拟后获得多离子与晶格的反应情况，并对副产物进行检测与影响分析，调控离子注入参数保证晶格安全反应，本发明具有提高准确性和高效性的特点。
📄 2026101889523
📂 H10P74_20
👤 苏州中熙精密电机有限公司
📅 2026-02-10
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