发明专利已授权

单晶SiC的离子注入表面改性与纳米尺度抛光方法

Name: 单晶SiC的离子注入表面改性与纳米尺度抛光方法
Brand: 西安理工大学
SKU: 2018105481203
Availability: InStock

📄 申请号：CN201810548120.3 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-05-31

公开号

CN108723897B

公开日

2020-12-18

申请人

西安理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

B24B1_00

IPC 分类号

B24B1_00

技术画像

所属领域

表面改性半导体材料离子注入技术纳米抛光技术表面改性

应用场景

半导体衬底加工, 功率半导体器件, 新能源汽车, 5G通信, 集成电路制造

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摘要

本发明公开了一种单晶SiC的离子注入表面改性与纳米尺度抛光方法，具体按照以下步骤进行：步骤1，对研磨后要进行抛光的晶片表面进行粗糙度测量，根据研磨后晶片表面粗糙度度决定离子注入深度；步骤2，确定操作所选用的离子注入机以后，选用Al离子进行注入，根据步骤1测量的晶片表面粗糙度和离子注入深度和离子注入能量值的比例关系，选择晶片表面粗糙度对应的离子注入能量值进行注入分次注入，使离子在注入深度上纵向都有较为均匀的分布；步骤3，将离子注入完成的晶片置于抛光机中，去除晶片离子注入的表面层，即成。本发明能主动改变脆性材料表面层的物理机械性能，降低材料的硬度和脆性，从而采用非常小的机械作用力去除。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20201218

✅ 授权

20181127

?? 实质审查的生效：

20181102

📄 公开

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议价

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📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：120 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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