本发明涉及一种具有双侧面超结槽栅LDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件由双侧面超结槽栅区和LDMOS导电区组成，利用二氧化硅隔离层将双侧面超结槽栅区和LDMOS导电区分离，双侧面超结槽栅区由槽栅P+接触区、P型辅助耗尽区、漏极N‑buffer区、漏极N+区、漏极P+区组成，LDMOS导电区由源极P+区、源极N+区、P‑body、漂移区、漏极N‑buffer区、漏极N+区组成。本发明在传统LDMOS器件结构上，使用双侧面超结槽栅技术，在保证获得较高的击穿电压下，能够大幅降低器件的比导通电阻和增大器件的跨导，最终提高器件的Baliga优值FOM，并打破了硅极限。
📄 2021111392001
📂 H10D30_65
👤 重庆邮电大学
📅 2021-09-26
本发明涉及一种集成四种MOSFET的RC‑LIGBT器件，属于半导体技术领域。该器件包括阴极P+区、阴极N+区、阴极P‑well区、漂移区、埋氧层、衬底、阳极P+区、阳极P‑well区、阳极N‑buffer区、普通MOS金属栅极、普通MOS栅极氧化层、阳极N+区、阳极浮空N+区、沟道MOS金属栅极、阳极辅助MOS金属栅极、阳极浮空MOS金属栅极、沟道MOS栅极氧化层、阳极辅助MOS栅极氧化层和阳极浮空MOS栅极氧化层。本发明改善了器件的反向恢复性能和反向导通性能。
📄 2022105063124
📂 H10D84_60
👤 重庆邮电大学
📅 2022-05-10
本发明涉及一种集成辅助耗尽栅的低功耗RC‑IGBT器件，属于半导体技术领域。该器件集成的辅助耗尽栅由栅极氧化层、多晶硅栅极组成，其特点在于辅助耗尽栅与主栅短接在一起，对其施加电压可以耗尽漂移区P柱形成自适应的电阻。本发明的突出优势主要有两点。第一，正向导通功耗降相比于传统SJ‑IGBT器件低了21％。第二，关断损耗相比传统RC‑IGBT器件降低了53％，大幅改善了器件的关断损耗与通态压降之间的折中关系。
📄 2022113923813
📂 H01L29_06
👤 重庆邮电大学
📅 2022-11-08
本发明涉及一种具有低电阻与密勒电容的新型非对称沟槽SiC MOSFET器件，属于半导体器件技术领域。该器件包括：衬底；形成于衬底一表面的漂移区；形成于漂移区表面的N‑CSL；形成于N‑CSL表面一侧的低势垒二极管；形成于N‑CSL表面另一侧的第二P‑well；形成于低势垒二极管表面且位于低势垒二极管两侧的沟槽栅和辅助沟槽栅；形成于N‑CSL表面且位于第二P‑well和沟槽栅之间的P‑base；形成于P‑base表面且位于第二P‑well和沟槽栅之间的源极N+区；形成于器件顶部的源极电极；形成于衬底另一表面的漏极电极。本发明可降低器件的比导通电阻，降低器件的密勒电容和栅极电荷，提高器件开关速度。
📄 2024116079572
📂 H10D30_66
👤 重庆邮电大学
📅 2024-11-12
本发明涉及一种引入深沟槽和自偏置PMOS的SOI‑LIGBT器件，属于半导体器件技术领域。该器件包括阴极P+区、阴极P‑well区、阴极N+区、漂移区、P‑buried区、阳极N‑buffer区、阳极P+区、主栅氧化层、多晶硅主栅、深沟槽氧化层、深沟槽氧化层、多晶硅辅助栅、二氧化硅埋氧层、衬底。该器件在阴极集成自偏置PMOS，在关断中提供过剩载流子的抽取通道提高该类器件在运用过程中的工作频率，并且在器件正向导通的时候降低饱和电流，增大器件的短路安全工作时间，提高了器件的可靠性和安全性；并且阴极集成的PMOS不需要额外的电路来控制，增加了该器件在实际运用过程中的可行性，降低了驱动电路的设计难度。
📄 2024116534411
📂 H10D86_00
👤 重庆邮电大学
📅 2024-11-19
本发明涉及一种具有电场和载流子调制的MOSFET器件，属于半导体器件技术领域。该器件在栅极的多晶硅掺杂区和漏极N+区之间加入P‑pillar区形成了超结延伸栅，通过引入超结延伸栅，使得器件在正向导通情况下，栅极加正电压并将电压延伸至整个P‑pillar，器件在漂移区内靠近氧化层区域形成了电子积累区，从而降低了器件比导通电阻、提高了跨导；而在阻断耐压的情况下，器件漏极加高压，P‑pillar区和漂移区之间会产生相互耗尽的作用，共同调制优化MOSFET器件漂移区的电场分布，使器件得到较高的击穿电压BV，从而获得更高的器件优值，最终改善器件的静态性能。
📄 2025103480189
📂 H10D30_66
👤 重庆邮电大学
📅 2025-03-24
本发明涉及一种集成双自偏置MOS的SiC MOSFET器件，属于半导体技术领域。该器件结构上呈现对称状态，包括主MOS、自偏置PMOS和自偏置NMOS，其中，在主MOS的两侧均集成有自偏置PMOS和自偏置NMOS。本发明通过集成自偏置PMOS实现了在正向导通时，自偏置PMOS关断，P‑well区域的浮空，降低了器件的导通电阻；在阻断情况下，自偏置PMOS实现导通，对P‑well区域实现了钳位，相比完全浮空器件有效地保护了器件的栅氧化层。通过集成自偏置NMOS实现了第三象限的续流功能，且该条件下，P‑well处于浮空状态，体二极管不可能被导通，完全避免了双极退化效应。
📄 2025103480210
📂 H10D30_66
👤 重庆邮电大学
📅 2025-03-24
本发明请求保护一种采用CMOS传输门的栅压自举开关电路，包括开关管、控制逻辑电路、自举电容和负载电容。控制逻辑电路包括NMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、NMOS管M5、PMOS管M6、NMOS管M7、NMOS管M8、PMOS管M9、PMOS管M10、NMOS管M11、NMOS管M12，自举电容包括电容C1和C2，本发明目的在于提高开关电路的线性度和信噪比。创新在于使用CMOS传输门(M6和M7)将输入电压反馈到开关管的栅极，使得开关管的栅源电压保持恒定，使NMOS开关管在采样阶段成为一个定值电阻，从而实现一种高性能的栅压自举开关电路。
📄 2019108823777
📂 H03K17_687
👤 重庆邮电大学
📅 2019-09-18
本发明公开了一种自适应抑制Si IGBT和SiC MOSFET混合并联串扰的驱动电路，包括双边栅极驱动芯片、差分放大电路、模拟乘法器、串扰抑制电路。本发明通过差分放大电路提取对应的延时开关驱动信号，再由模拟乘法器将延时开关驱动信号与并联管经过抬升后的驱动信号进行相乘，生成对应将产生串扰的主功率管的串扰抑制电路开通信号，开启负向串扰抑制电路，另外正向串扰抑制电路中三极管将实时检测驱动电阻两端电压，一旦由正向串扰电流流过驱动电阻，将自动开启正向串扰抑制电路。本发明可以有效的消除串扰给混合并联造成的影响，具自适应性，且响应速度快，实时性好的优点。
📄 2024116394524
📂 H02M1_00
👤 南通大学
📅 2024-11-18
本实用新型公开一种板栅式大米运输存放架，属于运输存放架技术领域，包括运输板和U型推动手柄，所述运输板一侧中间处安装有U型推动手柄，所述运输板上设有移动连接组件，所述移动连接组件顶部设有栏杆定位组件，所述栏杆定位组件上等间距设有置物板组件，所述置物板组件一侧等间距设有定位组件，所述定位组件上套设有连接隔断组件，工作人员将栏杆安装在运输板顶部两侧处，安装好后工人员将第一置物板和第二置物板套在栏杆上通过定位套进行定位，定位好后工作人员将大米放置在第一置物板和第二置物板上进行放置，放置好后防止大米掉落将接套和隔断件设在运输板、第一置物板和第二置物板的一侧处防止大米掉落。
📄 2021217810976
📂 B62B3_04
👤 南陵县紫阳米业有限公司
📅 2021-08-02
本实用新型公开了一种具有防腐功能的半挂车栅栏板，其技术方案要点是：包括两个栅栏板本体，两个所述栅栏板本体的一侧固定安装有固定板；阻挡组件，设置在所述栅栏板本体的顶面，用于对货物进行阻挡，所述阻挡组件包括两个调节槽，两个所述调节槽分别开设在两个所述栅栏板本体的顶面，通过栅栏板本体、固定板、安装柱、第一阻挡板、调节块、卡接板、强力弹簧、第一阻挡板和卡接槽相互配合使用，便于对少量货物进行阻挡，防止运输中货物倒塌，通过启动驱动电机，驱动电机的驱动轴转动会带动限位柱转动，进而可以让滑块带动安装柱和第一阻挡板在调节槽的内部移动，便于对第一阻挡板的位置进行移动调节，使其方便对不同数量的货物进行阻挡。
📄 2022209938915
📂 B62D33_023
👤 驻马店市永骏汽车配件制造有限公司
📅 2022-04-27
本实用新型一种机械加工模具沟槽棱边打磨装置公开了一种能够同时对模具沟槽两边的棱边倒角，且能够适应不同宽度的沟槽的机械加工模具沟槽棱边打磨装置，其特征在于两组打磨装置平行放置，打磨装置由转轴、电机壳和倒角磨轮组成，电机壳内置有驱动电机，转轴一端穿过电机壳上的轴承和驱动电机的电机轴相连接，转轴另一端上套置有倒角磨轮，调距装置位于两组打磨装置之间，调距装置由固定杆、套筒、握把、固定销和连接杆，组成，两个固定杆的一端分别从套筒两端穿过延伸至套筒内，两个固定杆另一端分别和两个电机壳相连接，所述套筒侧面上等距开有多组固定孔。
📄 2020213537646
📂 B24B9_00
👤 淮北创之社信息科技有限公司
📅 2020-07-11
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