发明专利已授权

一种集成双自偏置MOS的SiC MOSFET器件

📄 申请号：CN202510348021.0 📄 发布日：2026/08/27

著录项目信息

申请日

2025-03-24

公开号

CN119947191B

公开日

2025-11-21

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10D30_66

IPC 分类号

H10D30_66 , H10D62_10 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件碳化硅MOSFET 半导体器件结构

应用场景

新能源汽车, 光伏逆变器, 储能系统, 工业电机驱动, 高效电源转换

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摘要

本发明涉及一种集成双自偏置MOS的SiC MOSFET器件，属于半导体技术领域。该器件结构上呈现对称状态，包括主MOS、自偏置PMOS和自偏置NMOS，其中，在主MOS的两侧均集成有自偏置PMOS和自偏置NMOS。本发明通过集成自偏置PMOS实现了在正向导通时，自偏置PMOS关断，P‑well区域的浮空，降低了器件的导通电阻；在阻断情况下，自偏置PMOS实现导通，对P‑well区域实现了钳位，相比完全浮空器件有效地保护了器件的栅氧化层。通过集成自偏置NMOS实现了第三象限的续流功能，且该条件下，P‑well处于浮空状态，体二极管不可能被导通，完全避免了双极退化效应。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

NiO-CoMn2O4催化剂的制备方法及其在催化氧化降解甲苯中的应用

当前第 / 件

一种具有电场和载流子调制的MOSFET器件

同领域国内专利 · IPC: (H10D30_66)

H10D30_47 H10D30_60 H10D30_65 H10D30_66 覆盖4个领域

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：8 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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