发明专利已授权

一种具有电场和载流子调制的MOSFET器件

📄 申请号：CN202510348018.9 📄 发布日：2026/08/27

著录项目信息

申请日

2025-03-24

公开号

CN120091608B

公开日

2025-11-18

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10D30_66

IPC 分类号

H10D30_66 , H10D64_27 , H10D62_10 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件场效应晶体管功率半导体器件

应用场景

电源管理, 功率转换, 集成电路, 消费电子, 新能源汽车

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摘要

本发明涉及一种具有电场和载流子调制的MOSFET器件，属于半导体器件技术领域。该器件在栅极的多晶硅掺杂区和漏极N+区之间加入P‑pillar区形成了超结延伸栅，通过引入超结延伸栅，使得器件在正向导通情况下，栅极加正电压并将电压延伸至整个P‑pillar，器件在漂移区内靠近氧化层区域形成了电子积累区，从而降低了器件比导通电阻、提高了跨导；而在阻断耐压的情况下，器件漏极加高压，P‑pillar区和漂移区之间会产生相互耗尽的作用，共同调制优化MOSFET器件漂移区的电场分布，使器件得到较高的击穿电压BV，从而获得更高的器件优值，最终改善器件的静态性能。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种集成双自偏置MOS的SiC MOSFET器件

当前第 / 件

一种引入深沟槽和自偏置PMOS的SOI-LIGBT器件

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