发明专利已授权

一种自适应抑制Si IGBT和SiC MOSFET混合并联串扰的驱动电路

📄 申请号：CN202411639452.4 📄 发布日：2026/08/27

著录项目信息

申请日

2024-11-18

公开号

CN119401789B

公开日

2025-09-23

申请人

南通大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H02M1_00

IPC 分类号

H02M1_00 , H02M1_44 , H02M1_32 , H02M1_088 ,

技术画像

所属领域

功率半导体驱动电路功率半导体驱动电路混合并联技术串扰抑制技术

应用场景

新能源汽车, 光伏逆变器, 储能系统, 工业电机驱动, 智能电网

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摘要

本发明公开了一种自适应抑制Si IGBT和SiC MOSFET混合并联串扰的驱动电路，包括双边栅极驱动芯片、差分放大电路、模拟乘法器、串扰抑制电路。本发明通过差分放大电路提取对应的延时开关驱动信号，再由模拟乘法器将延时开关驱动信号与并联管经过抬升后的驱动信号进行相乘，生成对应将产生串扰的主功率管的串扰抑制电路开通信号，开启负向串扰抑制电路，另外正向串扰抑制电路中三极管将实时检测驱动电阻两端电压，一旦由正向串扰电流流过驱动电阻，将自动开启正向串扰抑制电路。本发明可以有效的消除串扰给混合并联造成的影响，具自适应性，且响应速度快，实时性好的优点。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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