发明专利已授权

一种引入深沟槽和自偏置PMOS的SOI-LIGBT器件

📄 申请号：CN202411653441.1 📄 发布日：2026/08/27

著录项目信息

申请日

2024-11-19

公开号

CN119486257B

公开日

2025-10-21

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10D86_00

IPC 分类号

H10D86_00 , H10D64_23 , H10D64_27 , H10D62_10 , H10D12_00 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件绝缘体上硅器件绝缘栅双极晶体管

应用场景

电源管理, 电机驱动, 功率集成电路, 汽车电子, 工业控制

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摘要

本发明涉及一种引入深沟槽和自偏置PMOS的SOI‑LIGBT器件，属于半导体器件技术领域。该器件包括阴极P+区、阴极P‑well区、阴极N+区、漂移区、P‑buried区、阳极N‑buffer区、阳极P+区、主栅氧化层、多晶硅主栅、深沟槽氧化层、深沟槽氧化层、多晶硅辅助栅、二氧化硅埋氧层、衬底。该器件在阴极集成自偏置PMOS，在关断中提供过剩载流子的抽取通道提高该类器件在运用过程中的工作频率，并且在器件正向导通的时候降低饱和电流，增大器件的短路安全工作时间，提高了器件的可靠性和安全性；并且阴极集成的PMOS不需要额外的电路来控制，增加了该器件在实际运用过程中的可行性，降低了驱动电路的设计难度。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种具有电场和载流子调制的MOSFET器件

当前第 / 件

一种具有低电阻与密勒电容的新型非对称沟槽SiC MOSFET器件

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