本发明提供了一种晶体生长炉的模型构建方法和电子设备，涉及晶体生长技术领域，该方法包括：根据加热器，构建与加热器对应的第一三维图形；根据与加热器配合设置的电极以及加热器的第一中心轴线与电极的第二中心轴线之间的第一距离，构建与电极对应的第二三维图形；根据第一三维图形构建加热器对应的二维加热器模型，根据第二三维图形构建电极对应的二维电极模型；获取加热器的第一功率密度和电极的第二功率密度；将第一功率密度加载到二维加热器模型，将第二功率密度加载到二维电极模型；基于二维加热器模型和二维电极模型对晶体生长炉进行数值模拟。本发明实施例提高了对晶体生长炉进行数值模拟得到的模拟结果的准确性。
📄 2025107722308
📂 G06F30_20
👤 西安交通大学
📅 2025-06-11
本发明实施例提供了一种熔体法晶体生长的外加行波磁场控制方法，其中，本发明实施例所提供的熔体法晶体生长的外加行波磁场控制方法，先基于反映晶体生长炉内部件屏蔽作用强弱的屏蔽因子对晶体生长炉模型进行简化，再基于该简化后的晶体生长炉模型调整电流频率，能够更简便地确定出洛伦兹力与炉壁间隙、电流频率之间的关系曲线，进而可以基于该关系曲线结合实际的晶体生长炉的炉壁间隙施加使得熔体中洛伦兹力达到最大值的目标电流频率，从而实现产生同等大小的洛伦兹力所需的通入电流较小，达到控制熔体流动及节能降耗的目的。
📄 2025104950478
📂 C30B11_00
👤 西安交通大学
📅 2025-04-21
本发明公开了一种增加一次投料晶锭厚度的碳化硅晶体生长方法，具体步骤包括：选定所使用的坩埚，根据实验结果和温场模拟确定该坩埚内腔填粉区域的高温区域；分别确定两种不同粒径的碳化硅粉的数量，并将其区分为大粒径碳化硅粉源和小粒径碳化硅粉源；在坩埚内腔填装碳化硅粉源，将小粒径碳化硅粉源装入高温区域中，将大粒径碳化硅粉源置于非高温区域，并在碳化硅粉源中设置石墨柱；将坩埚装入晶体生长设备中进行粉源烧结和除杂；从坩埚中取出石墨柱；进行晶体生长操作。本发明解决了现有技术中源-衬距逐渐减小影响所制备晶锭厚度的问题。
📄 201210411420X
📂 C30B23_00
👤 西安理工大学
📅 2012-10-25
本发明提供了一种自激发拉曼复合功能晶体钨钼酸铋，化学式为Bi2MoxW2‑xO9，x的取值范围在0～0.3内，属于单斜晶系，Pbcn(No.60)空间群。晶体生长方法，将Bi2O3、MoO3和WO3按照化学计量比配料，采用球磨机充分混合均匀后在压料机上压实，在300～600℃范围内进行固相烧结，合成钨钼酸铋多晶，与助熔剂按照摩尔比为1∶(0.2‑6)充分混合均匀，放入铂坩埚，升温使原料完全熔化，调温至750℃，下入铂籽晶杆并使之转动，程序降温使晶体自发结晶。钨钼酸铋晶体作为自激发拉曼晶体，可以用于激光器的制作；钨钼酸铋晶体作为闪烁晶体的应用。本晶体生长方法可以获得具有良好光学质量的钨钼酸铋厘米级单晶，方法简单，原料成本低，适合批量生产。
📄 2020112512114
📂 C30B29_32
👤 临沂大学
📅 2020-11-10
本实用新型公开了一种人工晶体生长用坩埚旋转升降机构，涉及人工晶体加工技术领域，包括高度调节机构，高度调节机构内侧安装有转动机构，转动机构上部设置有定位机构，定位机构与高度调节机构侧面固定连接。本实用新型，通过二号丝杠与二号丝块的配合，利用其表面两道方向相反的螺纹驱动两个三号安装架同步靠拢或分离，带动夹持杆将坩埚自动推送至放置台中心，解决了人工放置难以对中的核心问题，夹持杆的同步推动可消除手动放置的偏心误差，避免旋转时离心力引发的熔体表面径向波动，有效抑制环形成分偏析带与生长条纹缺陷。
📄 2025214430795
📂 C30B35_00
👤 成都扬网吉览网络科技有限公司
📅 2025-07-10
本发明涉及一种改善氮化镓晶体生长均匀性装置与生长方法，在氢化物气相外延生长氮化镓晶体装置中，通常衬底被固定在石墨托上，氯化镓与氨气在氮气载气作用下从低温区流向高温区的衬底面，进行结晶生长。生长区的气相饱和度受氮气载气流量、生长区装置的结构等影响导致生长的氮化镓晶体厚度明显不均匀。本发明采用带有石墨镂空围栏的石墨托，可以减小气相的涡旋流动速度，增大气相饱和度及其均匀性，并且在氯化镓的进气口增加半侧喇叭形开口，氨气进气口增加全喇叭形开口，可以降低气流速度并增加衬底表面气相的均匀性。本发明结构简单，增加了衬底上气相饱和度和均匀性，提高了氮化镓晶体生长效率，生长的氮化镓晶体表面更为平整且厚度均匀。
📄 2021113252848
📂 C30B29_40
👤 南通大学
📅 2021-11-10
本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长炉操作台，涉及碳化硅晶体生长炉技术领域，包括操作台主体支架，操作台主体支架的顶部设有台面，台面的中部设有用于安装碳化硅晶体生长炉的槽口，台面为宽面结构，碳化硅晶体生长炉与台面边缘之间构成行走区；操作台主体支架的一侧设有活动连接的下箱体和上箱体，下箱体、上箱体处于抽出状态后，与台面组成梯台；下箱体与操作台主体支架之间设有直线驱动机构，直线驱动机构设置在下箱体内部；下箱体的顶部后方设有用于推动上箱体的推板；在下箱体被推出后，上箱体与操作台主体支架之间设有用于下箱体自动收回操作台主体支架内部的复位装置。
📄 202320403644X
📂 C30B35_00
👤 南京宏泰晶智能装备科技有限公司
📅 2023-03-06
已申报项目
本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长炉加热模块升降机构，涉及碳化硅晶体生长炉技术领域，包括轨道架，轨道架固定在操作台上，轨道架设置在炉体的一侧，并高于炉体，轨道架内设有适配的移动架，轨道架上设有用于驱动移动架升降的直线驱动机构；移动架的朝向炉体的一侧固定连接有支架立板，支架立板的两端固定设有半圆结构的上叉臂和下叉臂，上叉臂和下叉臂之间固定有加热高频线圈，加热高频线圈套设在炉体的外侧，炉体的外部固定有贯穿在上叉臂和下叉臂的支撑杆，支撑杆的下部与下叉臂之间设有销轴。本实用新型可调节炉内轴向温度梯度，另外，该升降机构可将炉体进行提升，使坩埚外露，方便坩埚的取放，可提高工作效率。
📄 2023204348475
📂 C30B35_00
👤 南京宏泰晶智能装备科技有限公司
📅 2023-03-08
已申报项目
本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长炉下盖总成，涉及碳化硅晶体生长炉技术领域，包括炉体下盖，炉体下盖的底部固定连接有盖板，炉体下盖的一侧设有抽气口，盖板的轴心位置贯穿设有转轴，转轴通过轴套固定连接在盖板上；盖板的下方固定设有用于转轴旋转的驱动机构；转轴位于炉体下盖内的一端上固定设有托盘，托盘上固定设有用于放置石墨坩埚的石英管。本实用新型可使放置在炉体内部的石墨坩埚进行旋转，使碳化硅晶体生长的原料受热更加均匀，确保了原料区域气化的量保持一致，另外可使气化上升的原料以旋转的方式落入到籽晶区域，连续不断的这种旋转升华堆叠，可有效提高结晶的一致性，从而提高碳化硅晶体的结晶品质。
📄 2023205940501
📂 C30B29_36
👤 南京宏泰晶智能装备科技有限公司
📅 2023-03-23
已申报项目
本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长炉保护气体供气装置，涉及碳化硅晶体生长炉技术领域，包括供气转轴和轴套，供气转轴与炉下盖共轴设置，炉下盖的下方固定有用于供气转轴转动的驱动装置，供气转轴的顶端贯穿炉下盖的底部，延伸至石墨坩埚内，供气转轴的轴心线上设有两端封闭的供气通道，供气转轴位于轴套内的轴截面上设有多个第一通孔，轴套对应第一通孔的位置设有贯穿的第二通孔，第二通孔上连接有供气嘴，供气转轴的顶部沿周向设有多个供气孔，供气孔斜向延伸与供气通道相连通。本实用新型可将气化后的碳化硅气态分子均匀的送入至籽晶面上，确保了坩埚内气流的稳定性，有利提高碳化硅晶锭生长的品质。
📄 2023206148628
📂 C30B23_00
👤 南京宏泰晶智能装备科技有限公司
📅 2023-03-27
已申报项目
本实用新型公开了一种自动供气式碳化硅晶体生长炉，涉及晶体生长炉技术领域，包括支撑架、生长炉，生长炉内设有生长器主体，生长器主体与生长炉内壁构成内腔，生长炉两侧设有通气管，一侧的通气管内设有单向阀，另一侧的通气管贯穿调节室，调节室与生长炉相连，调节室设有旋转盘，旋转盘设有通气孔与封闭垫，生长炉设有固定架，固定架上设有电机，电机的旋转轴设有旋转涡轮，旋转盘的侧边处设有齿纹，旋转涡轮与旋转盘之间齿纹相连，固定架一侧设有检测仪，检测仪的检测柱延伸至内腔内。本实用新型在生长器内对碳化硅进行晶体生长时，其上的通气管根据内部的具体情况进行供气，且设有不同的供气速度，实用性强，适合推广。
📄 2022220684757
📂 C30B29_36
👤 南京宏泰晶智能装备科技有限公司
📅 2022-08-05
已申报项目
本发明涉及一种晶体生长过程中生长溶液浓度的在线检测方法，属于生产过程控制领域。生长溶液浓度的在线检测装置由安装在育晶罐侧面的隔膜式差压变送器和安装在育晶罐顶部的测量育晶罐中生长溶液高度的超声波液位计组成。载晶架旋转停止时，通过在线检测生长溶液的温度、差压和液位，间接计算得到生长溶液浓度，根据生长溶液浓度来对降温速率进行调整，以维持晶体稳定的生长速度。
📄 2020107411024
📂 G01N9_36
👤 龙图腾网科技(合肥)股份有限公司
📅 2020-07-29
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