本实用新型涉及光刻机定位技术领域，具体为一种光刻机长光路辅助定位装置，包括底座，所述底座位于整个装置的底端，所述底座上安装有升降组件，所述升降组件上安装有可对晶圆进行夹紧的一体式夹紧台，所述夹紧台中间开设的槽处放置有晶圆，且晶圆底端安装可均匀加热的红外线加热器。本装置设置的定位装置底端安装有升降组件，可通过气缸驱动气杆来调节升降组件的高度调节，方便于对根据使用需要对夹紧台上的晶圆实现不同高度的调控，设置的夹紧台上安装的晶圆通过夹紧组件实现夹紧，通过电机的正反实现连接块上夹块的收缩和展开，便于对晶圆实现稳定的夹紧，配合夹紧组件上安装的红外线加热器实现对晶圆的均匀加热，提高了装置的实用性。
📄 2025219945815
📂 G03F7_20
👤 深圳市鑫润达电子有限公司
📅 2025-09-17
本发明涉及光刻机物镜技术领域，尤其为一种光刻机物镜结构，包括物镜主体、水冷装置和散热装置，所述物镜主体外侧与水冷装置固定连接，所述水冷装置远离物镜主体的一侧与散热装置固定连接，所述物镜主体包括外壳、镜片主体和定位装置，所述外壳的个数共有四个，且四个所述外壳在镜片主体外侧呈均匀分布，所述镜片主体外侧设置在外壳一侧，本发明中，通过设置的外壳、镜片主体、固定盖、定位装置、夹持块、推板、螺丝、连接板、定位环、螺栓和定位主体，可以方便的对镜片主体和水冷装置进行组装，同时在夹持板对外壳进行夹持时，在第一弹簧的作用下，使限位板可以对两个外壳进行夹持，使外壳安装更加稳定，方便对镜片主体进行安装和拆卸。
📄 202310719268X
📂 G03F7_20
👤 张家港奇点光电科技有限公司
📅 2023-06-16
本实用新型公开了一种IC引线框架光刻机双光源控制机构，包括机体、上平行光源反射镜、下平行光源反射镜，所述机体上部通过隔板分隔有操控区，所述机体下部通过隔板分隔有扫描区，所述上平行光源反射镜设于机体上且位于操控区左侧，所述上平行光源反射镜底部设有上平行光源且位于上平行光源反射镜和上平行光源之间设有上扫描光源，所述下平行光源反射镜设于扫描区内且下平行光源反射镜顶部设有下平行光源且下平行光源顶部设有下扫描光源，所述机体上设有上扫描轨道，所述上扫描光源顶部滑动连接于上扫描轨道上，通过操作面板根据芯片基片保护层上的不同材料，控制保护层所需要的光源，对光源进行独立控制。
📄 202322046214X
📂 G03F7_20
👤 昆山建高远自动化科技有限公司
📅 2023-08-01
本实用新型公开了一种便于固定的镭射膜点阵光刻工作台，包括工作台本体，所述工作台本体上表面的两侧固定连接有两个相对称的箱体，两个箱体的相互远离的一侧面均开设有第一通孔，两个箱体相互远离的一侧均放置有与第一通孔相适配的推杆，两个推杆相互远离的一端均固定连接有第一挡板，两个箱体相互远离的一侧面均固定连接有第一弹簧，且两个推杆分别与两个第一弹簧相套接。该便于固定的镭射膜点阵光刻工作台，通过工作台本体的上表面固定连接有两个相对称的箱体，两个箱体相互靠近的一侧面均有滚轴，能够对膜的两边都进行固定，通过两个滚轴相互远离的一侧面均固定镶嵌有轴承，通过滚轴来固定镭射膜不但能够起到固定的作用。
📄 2020204906247
📂 B23K26_70
👤 上海恩左实业发展有限公司
📅 2020-04-07
本发明公开了一种基于三张光刻版解决电极短路问题的压电MEMS换能器制备方法，包括以下步骤：在硅晶圆的上表面由下至上依次制备下电极层、压电薄膜层和上电极层；在硅晶圆的下表面生长绝缘层；分别对硅晶圆上表面、下表面使用光刻板进行第一轮光刻，暴露出上电极和下电极；分别在硅晶圆上、下表面生长Au，镀在上电极表面和下电极表面；分别在硅晶圆上、下表面使用光刻板进行第二轮光刻，上表面刻蚀至压电薄膜层，下表面刻蚀至下电极层。本发明将上下电极分别设置于硅晶圆的上下表面，从根本上避免了器件短路的问题，极大的提高了成品率。同时本发明仅用3张光刻版，整个工艺流程简洁，降低了时间成本及工艺难度，提供了生产效率。
📄 2024104408615
📂 H10N30_06
👤 济南大学
📅 2024-04-12
本发明公开了一种整片晶圆纳米压印光刻机，它包括压印头、曝光系统、模板、承片台、脱模喷嘴、机架、大理石底座、真空管路和压力管路，其中，模板固定于压印头上，承片台置于模板的垂直正下方，并固定在大理石底座上，承片台周边设有脱模喷嘴；曝光系统的紫外光源置于压印头内；真空管路和压力管路均与压印头相连；真空管路还与承片台相连。本发明还公开了使用该设备实现整片晶圆纳米压印的方法。本发明的整片晶圆纳米压印光刻机，具有结构简单、适应性广、操作方便、制造成本低和可靠性高等优点，可应用于LED图形化、微透镜、微流体器件的制造，尤其适合光子晶体LED的低成本和规模化制造。
📄 2011102662510
📂 G03F7_00
👤 青岛理工大学
📅 2011-09-08
本发明公开了一种大面积纳米压印光刻的装置和方法。它引入一种氟聚合物基薄膜结构复合软模具，压印过程采用“气体辅助施压”和模具微进给“压力施压”方式；脱模基于氟聚合物基极低表面能，并结合“两次固化”和“揭开”式脱模方法，采用微小的脱模力即可实现大面积脱模。本发明实现了在各种衬底包括非平整（弯曲、翘曲或者台阶）或曲面或者易碎衬底上制造大面积微纳米结构，具有复形精度高、压印面积大、效率高、成本低、模具寿命长的显著优势，适用于LED纳米图形化技术、光学器件（如光学透镜）、蝶式太阳能聚光器、微流控器件等器件的制造。
📄 2012100505717
📂 G03F7_00
👤 青岛理工大学
📅 2012-02-29
本发明公开了一种采用闪耀光栅的激光干涉光刻系统，该激光干涉光刻系统包括光源组件、扩束准直组件、多光束分光及合束组件、基片台，所述光源组件包括相干光源、第一透镜、第二透镜、闪耀光栅，所述相干光源发出的激光束依次经第一透镜、第二透镜后，再经反射镜折转光路后照射在闪耀光栅上，经闪耀光栅衍射后波长等于一级闪耀波长的光束经过小孔光阑出射，再经所述扩束准直组件、多光束分光及合束组件后分成多个相干光束并同时汇聚照射在位于基片台上的基片表面。本发明具有光能利用率高、相干长度长的优点，既增加了光路调整的灵活性和宽容度，又降低了激光光源谱线宽度要求，扩大了激光光源的选择范围。
📄 2015107062060
📂 G03F7_20
👤 西安中科立德红外科技有限公司
📅 2015-10-27
本发明一种光刻二元谐衍射Alvarez透镜变焦系统的方法，本发明先确定谐衍射Alvarez透镜的面型，接着确定一阶掩模位置并光刻，最后确定高阶掩模位置并光刻，保留了Alvarez透镜组原有的特征，即且第二Alvarez透镜相对于第一Alvarez透镜沿垂直于光轴方向移动，所述Alvarez透镜组的焦距会发生改变，并且相对于衍射光学元件，二元谐衍射Alvarez透镜变焦系统具有高精度高效率的特点；本发明加工工艺简单，精度远比常规光学加工的精度高。
📄 2018108423498
📂 G02B3_08
👤 杭州电子科技大学
📅 2018-07-27
本发明公开了一种测量倾角和旋转角的光刻对准标记及对准方法。该光刻对准标记包括硅片标记和掩膜标记，两个标记外部轮廓尺寸相同，均由五个边长相同的正方形呈十字型排列构成，通过重合外部轮廓可以完成硅片和掩膜两个平面的粗对准，硅片标记和掩膜标记内部设计有独特的图形结构和光栅结构，通过观察粗对准后的掩膜标记和硅片标记内部图形及光栅产生的莫尔条纹实现了硅片和掩膜两个平面倾角和旋转角的定量检测。本发明为了解决现有技术中小偏移量捕捉方法复杂、掩膜‑硅片两平面之间存在倾角和旋转角等问题，设计了独特的光刻对准标记，优化了对应的光刻对准方法，具有对准过程简易，对准效果好，对准精度高的优点。
📄 2021100891006
📂 G03F9_00
👤 西华大学
📅 2021-01-22
本发明公开了一种基于DMD数字光刻的曲面复眼透镜及其制备方法，该曲面复眼透镜为半球形结构，半球形结构由内至外依次包括半球型曲面焦面、弹力膜以及曲面微透镜阵列，所有级次子眼构成曲面微透镜阵列，所有级次子眼包括位于曲面微透镜阵列中心的一级子眼以及以一级子眼为圆心设置的多圈n级子眼，其中n为大于等于2的整数。半球型曲面焦面向弹力膜的一面均匀设置有若干个与子眼一一对应的感光传感器。本发明通过数字微反射镜DMD数字光刻对微透镜结构进行三维光刻，仅需要进行一次倒模即可获得微透镜阵列。子眼的口径、矢高以及曲面复眼透镜的曲率半径可控，制造的微透镜尺寸和面形精度高以及表面均匀性好，且制备工艺简单，成本低。
📄 202210035089X
📂 G02B3_00
👤 西华大学
📅 2022-01-13
本发明公开了一种利用掩膜光刻技术一步制备微米级双层结构的方法，该方法解决了利用现有的光刻技术来制备微米级双层结构时只能通过复杂的套刻工艺来实现的问题。本发明的方法为：设计用于制备微米级双层结构的掩膜版，获得所设计的掩膜版后在正性光刻胶上进行掩膜光刻，只需进行一次光刻工艺流程便可在基片表面获得微米级双层结构。本发明适用于半导体制造、功能性界面材料、多尺度微纳结构制造等应用领域。
📄 2022101664362
📂 G03F7_20
👤 鲁东大学
📅 2022-02-23
柿子坊 · 知识产权运营
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