发明专利 已授权

一种基于三张光刻版解决电极短路问题的压电MEMS换能器制备方法

📄 申请号:CN202410440861.5 📄 发布日:2026/07/29

著录项目信息

申请日
2024-04-12
公开号
CN118317681B
公开日
2024-12-24
申请人
济南大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

超声换能器, 声学传感器, 医疗超声成像, 工业无损检测, 消费电子

摘要

本发明公开了一种基于三张光刻版解决电极短路问题的压电MEMS换能器制备方法,包括以下步骤:在硅晶圆的上表面由下至上依次制备下电极层、压电薄膜层和上电极层;在硅晶圆的下表面生长绝缘层;分别对硅晶圆上表面、下表面使用光刻板进行第一轮光刻,暴露出上电极和下电极;分别在硅晶圆上、下表面生长Au,镀在上电极表面和下电极表面;分别在硅晶圆上、下表面使用光刻板进行第二轮光刻,上表面刻蚀至压电薄膜层,下表面刻蚀至下电极层。本发明将上下电极分别设置于硅晶圆的上下表面,从根本上避免了器件短路的问题,极大的提高了成品率。同时本发明仅用3张光刻版,整个工艺流程简洁,降低了时间成本及工艺难度,提供了生产效率。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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