发明专利已授权

一种利用掩膜光刻技术一步制备微米级双层结构的方法

📄 申请号：CN202210166436.2 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2022-02-23

公开号

CN114355736B

公开日

2023-06-16

申请人

鲁东大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G03F7_20

IPC 分类号

G03F7_20

技术画像

所属领域

光刻技术光刻工艺微纳加工半导体制造工艺光刻技术

应用场景

半导体器件制造, 微机电系统, 光学器件加工, 生物芯片制备, 精密微结构制造

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摘要

本发明公开了一种利用掩膜光刻技术一步制备微米级双层结构的方法，该方法解决了利用现有的光刻技术来制备微米级双层结构时只能通过复杂的套刻工艺来实现的问题。本发明的方法为：设计用于制备微米级双层结构的掩膜版，获得所设计的掩膜版后在正性光刻胶上进行掩膜光刻，只需进行一次光刻工艺流程便可在基片表面获得微米级双层结构。本发明适用于半导体制造、功能性界面材料、多尺度微纳结构制造等应用领域。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：38 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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