发明专利已授权

一种大面积纳米压印光刻的装置和方法

📄 申请号：CN201210050571.7 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2012-02-29

公开号

CN102591143B

公开日

2014-04-16

申请人

青岛理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G03F7_00

IPC 分类号

G03F7_00

技术画像

所属领域

纳米压印光刻纳米压印光刻微纳加工工艺半导体制造设备

应用场景

半导体芯片制造, 微纳光学器件加工, 生物芯片制造, 传感器制造, 平板显示制造

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摘要

本发明公开了一种大面积纳米压印光刻的装置和方法。它引入一种氟聚合物基薄膜结构复合软模具，压印过程采用“气体辅助施压”和模具微进给“压力施压”方式；脱模基于氟聚合物基极低表面能，并结合“两次固化”和“揭开”式脱模方法，采用微小的脱模力即可实现大面积脱模。本发明实现了在各种衬底包括非平整（弯曲、翘曲或者台阶）或曲面或者易碎衬底上制造大面积微纳米结构，具有复形精度高、压印面积大、效率高、成本低、模具寿命长的显著优势，适用于LED纳米图形化技术、光学器件（如光学透镜）、蝶式太阳能聚光器、微流控器件等器件的制造。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

超微功耗RC积分测量电源电压方法

当前第 / 件

一种适用于非平整衬底晶圆级纳米压印的装置和方法

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