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摘 要:本发明涉及半导体技术领域,提供了一种具有高热导率的半导体衬底及其制备方法。本发明提供的衬底背面具有周期孔洞结构,周期孔洞结构中制备了表面和衬底背面齐平的金刚石薄膜,增加了衬底材料与金刚石的接触面积,提高了衬底的热导率,利用本发明提供的衬底制备光电子器件,器件背面周期孔洞结构中的的金刚石薄膜可以将器件芯片产生的废热快速的传递到热沉中,提高器件的散热效率,提高器件的工作性能。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201911411742.2 | 专利名称: | 一种具有高热导率的半导体衬底及其制备方法 |
申请日: | 2019-12-31 | 申请/专利权人 | 长春理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 吉林省长春市朝阳区卫星路7089号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L23/373搜分类 半导体 底搜索 |
公开/公告日: | 2021-07-06 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN111009496B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |