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摘 要:本发明公开了一种基于自激励单电子自旋电磁晶体管及制作工艺,所述晶体管包括衬底,衬底上设置有纳米碳化硅薄膜结构、源极、漏极、栅极,纳米碳化硅薄膜结构由层状纳米碳化硅单晶体薄膜互嵌构成,纳米碳化硅薄膜结构的两端分别与源极和漏极接触,形成源漏极有源区,纳米碳化硅薄膜结构的上部依次设置有绝缘层、接触金属层,栅极从接触金属层引出。本发明通过设置由层状纳米碳化硅单晶体薄膜互嵌构成的纳米碳化硅薄膜结构形成的纳米线或带,作为晶体管有源区,源漏极用Pd作为接触金属,形成肖特基势垒,其中出现隧穿。在室温下,本发明基于自激励单电子自旋电磁晶体管的源漏电压与漏电流的关系呈现干涉现象。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810064983.3 | 专利名称: | 自激励单电子自旋电磁晶体管及制作工艺 |
申请日: | 2018-01-23 | 申请/专利权人 | 湖北工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 湖北省武汉市洪山区南李路28号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/66搜分类 电子 工艺搜索 |
公开/公告日: | 2021-01-12 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108336136B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |