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| 专利/申请号： | CN201810064983.3 | 专利名称： | 自激励单电子自旋电磁晶体管及制作工艺 |
| 申请日： | 2018-01-23 | 申请/专利权人 | 湖北工业大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 湖北省武汉市洪山区南李路28号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L29/66 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2021-01-12 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN108336136B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 88 | 所属领域： | 电子 工艺专利转让搜索 |
摘 要：本发明公开了一种基于自激励单电子自旋电磁晶体管及制作工艺，所述晶体管包括衬底，衬底上设置有纳米碳化硅薄膜结构、源极、漏极、栅极，纳米碳化硅薄膜结构由层状纳米碳化硅单晶体薄膜互嵌构成，纳米碳化硅薄膜结构的两端分别与源极和漏极接触，形成源漏极有源区，纳米碳化硅薄膜结构的上部依次设置有绝缘层、接触金属层，栅极从接触金属层引出。本发明通过设置由层状纳米碳化硅单晶体薄膜互嵌构成的纳米碳化硅薄膜结构形成的纳米线或带，作为晶体管有源区，源漏极用Pd作为接触金属，形成肖特基势垒，其中出现隧穿。在室温下，本发明基于自激励单电子自旋电磁晶体管的源漏电压与漏电流的关系呈现干涉现象。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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