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摘 要:本发明提供了一种常压下锗锡纳米材料的制备方法,属于半导体纳米材料技术领域。包括以下步骤:S1、取硅片,在其表面喷涂金属催化剂处理;S2、将S1处理后的硅片平置于圆底瓷舟内的一端,其喷涂金属催化剂的一面朝上;将以质量比为20~10:1的锗粉和锡粉置于圆底瓷舟内的另一端,再将圆底瓷舟置于管式炉的加热腔内,并在位于装有锗粉和锡粉的一端以200sc·cm气体流量连续通入惰性气体,然后将管式炉从室温以5℃/min速率升温至800~850℃后,保温50~110min,再以5℃/min速率降至室温,即在硅片表面获得锗锡纳米材料。本发明能够快速直接制备锗锡纳米材料,在整个制备过程中不需要废气处理、可以持续生产、设备简单,易操作。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202010652263.6 | 专利名称: | 一种常压下锗锡纳米材料的制备方法 |
申请日: | 2020-07-08 | 申请/专利权人 | 陕西科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市未央区大学园区陕西科技大学 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C23C16/02搜分类 纳米材料 锗 港口搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |