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摘 要:本发明公开一种电子薄膜材料的制备装置及其制备工艺,该制备装置包括RF反应器、N2源、O2源、Ga源、Cu源、PC端和真空泵,该制备工艺包括以下步骤:S1、将基板清洗、吹干;S2、将基板固定,将沉积室内抽真空,然后充入N2至标准大气压;S3、在基板表面沉积Ga2O3薄膜;S4、在步骤S3沉积的Ga2O3薄膜表面沉积掺杂Cu的Ga2O3薄膜;S5、在步骤S4沉积的掺杂Cu的Ga2O3薄膜表面继续沉积Ga2O3薄膜,得到具有三层结构的薄膜;S6、薄膜取出退火。本发明制备装置可以促进前驱物通过电极的作用沉积在基板表面,提高前驱物沉积的速度及均匀程度,本发明制备工艺通过常压RF‑DBD等离子体辅助脉冲化学气相沉积,制备的电子薄膜致密性好,生长速率高,同时常温常压的工艺更加节省能源。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202011613749.5 | 专利名称: | 一种电子薄膜材料的制备装置及其制备工艺 |
申请日: | 2020-12-30 | 申请/专利权人 | 肇庆学院,肇庆市创能电子科技有限公司 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广东省肇庆市端州区东岗 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C23C16/40搜分类 塑料 制备工艺 电子 电子薄膜搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2022/11/25 | 授权 | |
2021/06/01 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C23C 16/40 专利申请号: 202011613749.5 申请日: 2020.12.30 |
2021/05/14 | 公开 |