电子薄膜类专利转让_商标转让

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专利名称：一种耐压电子薄膜开关申请号：2022230519830 转让价格：面议收藏
法律状态：已下证类型：实用新型关键词：塑料电子电子薄膜相似专利发布日：2024/01/29
摘要：本申请涉及薄膜开关技术领域，具体为一种耐压电子薄膜开关，包括开关本体，还包括：保护薄膜，保护薄膜设置在开关本体上；按压块，按压块设置在开关本体的内部；触电杆，触电杆固定连接在按压块的底端；接电块，接电块安装在开关本体的内底壁上；在进行使用时，通过限位滑槽、限位滑块和限位弹簧的配合，便于对按压块进行固定限位和初步的缓冲与回弹，再通过按压按压块，使按压块带动按压杆、定位槽等向下移动，便于弹性板向下移动，从而便于与两个滑块一进行配合，使拉簧进行拉伸，弹性板和拉簧起到了一定的缓冲效果，同时便于对按压块进行更好的回弹，能够更好的保持开关本体的回弹效果。

专利名称：一种电子薄膜材料的制备装置及其制备工艺申请号：2020116137495 转让价格：面议收藏
法律状态：已下证类型：发明关键词：塑料制备工艺电子电子薄膜相似专利发布日：2024/05/28
摘要：本发明公开一种电子薄膜材料的制备装置及其制备工艺，该制备装置包括RF反应器、N2源、O2源、Ga源、Cu源、PC端和真空泵，该制备工艺包括以下步骤：S1、将基板清洗、吹干；S2、将基板固定，将沉积室内抽真空，然后充入N2至标准大气压；S3、在基板表面沉积Ga2O3薄膜；S4、在步骤S3沉积的Ga2O3薄膜表面沉积掺杂Cu的Ga2O3薄膜；S5、在步骤S4沉积的掺杂Cu的Ga2O3薄膜表面继续沉积Ga2O3薄膜，得到具有三层结构的薄膜；S6、薄膜取出退火。本发明制备装置可以促进前驱物通过电极的作用沉积在基板表面，提高前驱物沉积的速度及均匀程度，本发明制备工艺通过常压RF‑DBD等离子体辅助脉冲化学气相沉积，制备的电子薄膜致密性好，生长速率高，同时常温常压的工艺更加节省能源。

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