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摘 要:本发明请求保护一种太赫兹波段超材料传感器。该传感器包括介质层和介质层上依附的亚波长金属阵列的超材料,亚波长金属阵列单元由圆形谐振环和金属条组成,圆形谐振环的斜对称方向设有四个大小相同的开口,金属条位于谐振环中且相对于谐振环中心向上平移1μm,形成在x方向的非对称结构。通过结构的非对称性的引入,实现了类EIT效应,提高了器件的Q值和传感性能。该传感器利用透射率谱中类EIT效应产生的尖锐透射峰频率在单位折射率变化内平移的量来衡量传感器的灵敏度,实现了400GHz‑900GHz频率范围内的高灵敏的折射率传感。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810205832.5 | 专利名称: | 一种太赫兹波段超材料传感器 |
申请日: | 2018-03-13 | 申请/专利权人 | 重庆邮电大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 重庆市南岸区南山街道崇文路2号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G01N21/41搜分类 传感器搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2021/07/13 | 授权 | |
2018/09/11 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): G01N 21/41 专利申请号: 201810205832.5 申请日: 2018.03.13 |
2018/08/17 | 公开 |