发明专利已授权

提纯硅的装置（半导体硅硅片晶体芯片）

📄 申请号：CN201910994763.5 📄 发布日：2026/07/08

著录项目信息

申请日

2019-10-18

公开号

CN110578169A

公开日

2019-12-17

申请人

衡水学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B29_06

IPC 分类号

C30B29_06 , C30B28_06 ,

技术画像

所属领域

半导体材料半导体材料硅提纯技术晶体硅材料

应用场景

半导体器件制造, 集成电路, 光伏电池, 硅片制备, 电子级硅材料

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摘要

本发明公开了一种提纯硅的装置。所述装置首先将粗硅与可与硅形成过共晶或者过包晶的高纯金属熔化在内设温度定向控制管的坩埚中，利用温度定向控制管产生高的侧向和纵向温度梯度，结合行波磁场控制初生单质硅在过共晶合金系中的结晶过程，提高初生单质硅的生长界面稳定性，抑制助熔金属夹杂物的形成。首先制备的棒材为初生单质硅在中心，助熔金属在外侧的结构。然后，在顶部高温区实现硅的过饱和溶解，再借助行波磁场发生器的往复运动，实现中心初生单质硅棒的粗化长大。生长完毕且冷却后，切掉头部金属吸杂区域。获得的初生硅再次重复上述过程，实现高纯硅的制备。因此，本申请所述装置可以避免引用大量的金属夹杂物，且工艺简单，制备的硅纯度高。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20240423

?? 专利权的转移：

20200605

✅ 授权

20200110

?? 实质审查的生效：

20191217

📄 公开

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📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：19 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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