发明专利已授权

一种高温高压下高铬和高含水的钴橄榄石单晶的制备方法

📄 申请号：CN202111317739.1 📄 发布日：2026/07/20

著录项目信息

申请日

2021-11-09

公开号

CN114016134B

公开日

2022-10-11

申请人

中国科学院地球化学研究所

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B29_34

IPC 分类号

C30B29_34 , C30B1_12 ,

技术画像

所属领域

晶体生长晶体生长高压合成矿物材料

应用场景

材料科学研究, 人工晶体, 地质模拟, 高压实验技术

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摘要

本发明公开了一种高温高压下高铬和高含水的钴橄榄石单晶的制备方法，以固态的六水合硝酸钴(II)、液态的铬酸叔丁酯、液态的正硅酸乙酯、固态的天然滑石粉末、固态的氢氧化钴粉末和无水乙醇作为起始原料先制备出钴橄榄石圆柱样品，以滑石和氢氧化钴作为水源制备出两水源片，将两水源片分别放置在圆柱样品两端，将样品和水源片放入金钯合金样品管内进行高温高压反应得到高铬和高含水的钴橄榄石单晶；解决了现有技术制备得到的纯钴橄榄石均是不含水的，并且产物纯钴橄榄石的颗粒粒度比较小，不能满足各式高温高压实验室模拟的科学研究需求，尤其是高压下单晶矿物晶格优选方位和晶轴各向异性研究等技术问题。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20221011

✅ 授权

20220225

?? 实质审查的生效：

20220208

📄 公开

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