咨询电话：13280638997
传真：0533-3110363
邮箱：kefu@shizifang.com
24小时咨询热线13280638997
24小时咨询热线著 录 项 目：
| 专利/申请号： | CN201811472042.X | 专利名称： | 用于单晶炉的水冷热屏装置 |
| 申请日： | 2018-12-04 | 申请/专利权人 | 佛山圣哥拉太阳能科技有限公司 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 广东省佛山市南海区桂城街道简平路1号天安南海数码新城1栋1110室自编号之一室 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | C30B29/06 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2023-12-12 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN109554753B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 5 | 所属领域： | 半导体材料制备设备 单晶生长技术 热场控制专利转让搜索 |
应用场景：单晶硅棒制备过程中的温度均匀性控制;晶体生长设备热防护;光伏级单晶硅生产
摘 要：本发明提供的一种用于单晶炉的水冷热屏装置，包括进水管、出水管及水冷套，所述水冷套内设有水冷流道，所述进水管及出水管与所述水冷流道连通，该水冷热屏装置设置于所述单晶炉内液面上方，所述水冷套朝向所述液面一端连接有传热部件，所述传热部件与所述水冷套之间形成有具有临界温度的导热路径，所述临界温度小于所述水冷套朝向所述液面一端的材质熔点，当所述导热路径达至临界温度时，所述导热路径呈断开状态；通过应用有传热部件，使本发明的水冷热屏装置相比传统水冷热屏的应用，能使单晶生长速度进一步提高；同时能避免发生硅液熔穿水冷套导致单晶炉内的反应爆炸事故。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
| 2019107993183 | 【发明】一种纳米氢氧化钙晶须的制备方法 | 2025/08/22 |
| 2022104133261 | 【发明】具有强室温铁磁性二维材料的制备方法 | 2025/08/12 |
| 201811325262X | 【发明】低温制备锆钛酸铅单晶的方法 | 2025/08/12 |
| 2021113918098 | 【发明】一种高钙、高锰和高含水的顽火辉石单晶的制备方法 | 2025/07/16 |
| 2021113177391 | 【发明】一种高温高压下高铬和高含水的钴橄榄石单晶的制备方法 | 2025/07/16 |
| 2021114011995 | 【发明】一种高钛、高钒和高含水的紫苏辉石单晶的制备方法 | 2025/07/15 |
| 2016112424371 | 【发明】一种纳米硼酸锌晶须的制备方法及应用 | 2025/06/13 |
| 2015104049172 | 【发明】SiC纳米阵列 | 2025/06/09 |
| 2015104040125 | 【发明】调控SiC纳米阵列密度的方法 | 2025/06/09 |
| 2023107345609 | 【发明】一种极灵敏检测水相奥硝唑的发光晶体材料及其制备方法 | 2025/08/04 |
