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摘 要:本发明涉及存储器领域,尤其涉及一种基于神经网络芯片的存储结构及其存储方法。存储结构包括:衬底;N位模数转换电路,制备于衬底上;存储阵列,制备于N位模数转换电路上,包括至少一个存储单元,存储单元包括至少两个存储列;一存储列预存储有参考电压,另一存储列用于存储转换的M位进制信号的权重,N位模数转换电路利用参考电压得到M位进制信号的权重,通过读取M位进制信号的权重得到M位进制信号。存储方法包括:利用N位模数转换电路读取存储阵列中预存储的参考电压;N位模数转换电路通过比较参考电压和输入的模拟信号得到M位进制信号的权重;N位模数转换电路读取M位进制信号的权重得到M位进制信号。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201610849768.5 | 专利名称: | 基于神经网络芯片的存储结构及其存储方法 |
申请日: | 2016-09-26 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G06N3/063搜分类 芯片存储搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |