发明专利已授权

一种解决混合内存读延迟不确定性的方法

📄 申请号：CN201610526793.X 📄 发布日：2025/10/22

著录项目信息

申请日

2016-07-06

公开号

CN106168928B

公开日

2020-01-07

申请人

上海新储集成电路有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G06F12_06

IPC 分类号

G06F12_06

技术画像

所属领域

混合内存混合存储体系结构内存调度与延迟优化存储系统设计混合内存

应用场景

数据中心, 云计算, 服务器存储, 高性能计算, 大数据处理

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摘要

本发明公开了一种解决混合内存读延迟不确定性的方法，涉及混合内存领域，包括提供一包括通信连接的DRAM和SCM的混合内存，所述DRAM按照存储单元保持时间包括主要分布区和尾端分布区，将暴读（Read‑heavy）数据或暴读（Write‑heavy）数据放入将被SCM替换的DRAM尾端分布区，且所述混合内存中预存有地址查找转换表，所述地址查找转换表中包括发生替换存储的所述DRAM地址和所述SCM地址的映射项。解决内存瓶颈和功耗瓶颈不是一件容易的事情，但是通过各个方面的交叉努力，如工艺配方，存储器新型设计，结构创新，系统支持等，还是存在可能的机会，甚至无需更改DRAM，存储控制器和操作系统。随着DRAM和SCM在页读延迟上的差别减小，在一个固定周期内的PCM访问差别将会消失。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20200107

✅ 授权

20191119

⏳ 著录事项变更：

20161228

?? 实质审查的生效：

20161130

📄 公开

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