发明专利已授权

一种二维二硫化钨薄膜的制备方法

📄 申请号：CN201910462792.7 📄 发布日：2026/08/11

著录项目信息

申请日

2019-05-30

公开号

CN110373718B

公开日

2020-08-25

申请人

徐州新南湖科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B29_46

IPC 分类号

C30B29_46 , C30B25_00 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

电子器件, 光电探测, 传感器, 半导体器件, 催化

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摘要

本发明公开了一种二维二硫化钨薄膜的制备方法，该方法采用硫代硫酸钠固体粉末和二硫化钨固体粉末作为前驱物，通过化学气相沉积法合成了WS2二维单分子/多分子层厚度的单晶材料，其中二硫化钨单晶形貌为三角形、六边形或枝形。本发明将硫代硫酸钠应用到CVD法中来制备WS2晶体材料，降低了化学气相沉积法生长二硫化钨二维薄膜的生长温度，薄膜制备重复性好、晶体结晶质量高。制备的WS2单晶为三角形，六边形和枝晶状，薄膜厚度为1～30个分子层厚度。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20201225

?? 专利权的转移：

20200825

✅ 授权

20191119

?? 实质审查的生效：

20191025

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