一种控制硅基微结构内部空腔形成位置的研究方法

著 录 项 目：

摘     要：本发明公开了控制硅基微结构内部空腔形成位置的研究方法，按如下步骤进行：(1)进行温热处理硅基微结构成形研究的材料在一定温度环境中处理一段时间，使其变软；(2)利用离子刻蚀机制造出U型圆柱孔状的样本；(3)将上述过程得到的U型圆柱孔在一定温度下环境中进行热处理一段时间，得到硅基微结构空腔位置。本发明温热处理下硅基微结构空腔位置变化规律研究方法，主要操作：在一定的温度环境下，对不同初始结构参数的硅材料进行热处理15min，探究硅基微结构空腔位置变化规律，从而达到控制硅基微结构空腔位置。

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期	法律信息	备注
  2020/12/15	专利权的转移	登记生效日: 2020.12.03 专利权人由杭州追猎科技有限公司变更为嘉兴华吉环保科技有限公司 地址由310012 浙江省杭州市西湖区三墩镇西园八路2号8幢2603室变更为314051 浙江省嘉兴市南湖区大桥镇广益路3333号8幢1004-3室
  2020/11/20	专利权的转移	登记生效日: 2020.11.09 专利权人由杭州电子科技大学变更为杭州追猎科技有限公司 地址由310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街变更为310012 浙江省杭州市西湖区三墩镇西园八路2号8幢2603室
  2018/10/12	授权
  2016/11/09	实质审查的生效	IPC(主分类): B81B 7/02 专利申请号: 201610390923.1 申请日: 2016.06.06
  2016/10/12	公开