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摘 要:本发明公布了一种基于硅基氮化物的可变光分布器件及其制备方法,包括:透镜、量子阱GaN、P‑GaN、N‑GaN、EL电极、GaN基LED光源、静电MEMS微执行器、Si衬底。所述的基于GaN的LED光源是生长在Si衬底上,所述的透镜完全粘附在GaN基LED光源的正上方,所述的静电MEMS微执行器,包括由固定齿梳和可动齿梳构成的齿梳状结构,其中:固定齿梳连接在Si衬底上,可动齿梳与GaN基LED光源固定在一起,LED光源在可动齿梳的正上方。通过施加电压,Si基GaN‑LED在梳齿驱动器的作用下,在Si衬底平面做横向移动。当GaN基LED平行移动到透镜的光轴方向时,经过GaN基LED的准直光束将以与Si衬底平面成一定比例的角度偏转。该装置可用于定向照明,自由空间光通信以及机器人光学传感器等领域。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201710244778.0 | 专利名称: | 一种基于硅基氮化物的可变光分布器件及其制备方法 |
申请日: | 2017-04-14 | 申请/专利权人 | 南京邮电大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省南京市亚东新城区文苑路9号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | B81B7/02 半导体 |
公开/公告日: | 2019-10-01 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN107188112B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |