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摘 要:本发明公开了一种微压探测压力传感器,SOI硅片的衬底硅底部经过刻蚀形成应力薄膜并与玻璃基底键合形成真空腔,在应力薄膜下方刻蚀凹形槽结构和中心质量聚集结构,分别位于一对压力敏感硅铝异质结构的下方和薄膜中心区域。器件层掺杂后刻蚀出一对压力敏感硅铝异质结构,一对温度参考硅铝异质结构以及四个对称的L型凸起结构,温度参考结构的电阻处于应变薄膜区域外不受应力影响,配合本发明的传感器恒温控制系统可以有效地消除温度漂移特性。本发明还公开了一种微压探测传感器测量装置,包括其配套电路及校准标定方法,结合其传感器新型压阻元件及应力薄膜的结构设计,可以平衡高灵敏度及高线性度的测量特性,达到实际微压测量的应用标准。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202010460055.6 | 专利名称: | 一种微压探测压力传感器及其测量装置 |
申请日: | 2020-05-27 | 申请/专利权人 | 南京信息工程大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省南京市江北新区宁六路219号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | B81B7/02搜分类 传感器搜索 |
公开/公告日: | 2023-06-27 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN111620295B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |