发明专利已授权

一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器及其阵列

Name: 一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器及其阵列
Brand: 湖南正芯微电子探测器有限公司
SKU: 2020107168371
Availability: InStock

📄 申请号：CN202010716837.1 📄 发布日：2026/09/11

著录项目信息

申请日

2020-07-23

公开号

CN111863845B

公开日

2024-05-28

申请人

湖南正芯微电子探测器有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L27_146

IPC 分类号

H01L27_146

技术画像

所属领域

半导体探测器半导体探测器硅像素探测器辐射探测器

应用场景

高能物理实验, 粒子物理实验, X射线成像, 医学成像, 工业无损检测

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摘要

本发明公开了一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器及其阵列，包括N型高阻硅衬底，N型高阻硅衬底的顶面上生成有SiO2氧化层，SiO2氧化层上经刻蚀、离子注入形成有P+重掺杂阴极螺旋环结构，P+重掺杂阴极螺旋环结构为平面螺旋环结构，且P+重掺杂阴极螺旋环结构的中心位置设置有与其连接的收集阴极，N型高阻硅衬底的底面经刻蚀、离子注入形成有n+重掺杂离子注入层。P+重掺杂阴极螺旋环结构以收集阴极作为起始位置逆时针呈方形或多边形向外螺旋延伸至SiO2氧化层的任意一侧边缘。单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器组成单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器阵列。减小了探测器的有效工作面积，保证探测器低电容的优势。

常见问题

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种梳状硅像素探测单元及梳状硅像素探测器

当前第 / 件

一种扇形交替式硅像素探测器

同领域国内专利 · IPC: (H01L27_146)

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