发明专利 已授权

一种梳状硅像素探测单元及梳状硅像素探测器

📄 申请号:CN202010718308.5 📄 发布日:2026/09/11

著录项目信息

申请日
2020-07-23
公开号
CN111863847B
公开日
2024-06-07
申请人
湖南正芯微电子探测器有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

粒子物理实验, X射线成像, 医疗影像, 辐射检测, 同步辐射

摘要

本发明公开了一种梳状硅像素探测单元及梳状硅像素探测器,梳状硅像素探测器为采用梳状硅像素探测单元组成的梳状硅像素探测单元阵列。梳状硅像素探测单元包括硅基体,硅基体顶面生成有二氧化硅层,二氧化硅层内刻蚀有P+阴极,硅基体的底面刻蚀有n+阳极;P+阴极由第一梳状阴极和第二梳状阴极组成,第一梳状阴极和第二梳状阴极由一个L型阴极以及位于L型阴极内并与其连接的多个条型阴极组成,两者的L型阴极相距一定距离相对设置,两者的多个条型阴极相互平行交叉设置,且第一梳状阴极的L型阴极不与第二梳状阴极的条型阴极连接,其条型阴极不与第二梳状阴极的L型阴极连接。实现了硅像素探测器的空间二维位置分辨,分辨率高、工艺简单。

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这项专利是否已经下证?

是的,该专利已下证,法律状态为“已下证”,公开号: CN111863847B

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

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