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本发明涉及一种具有双侧面超结槽栅LDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件由双侧面超结槽栅区和LDMOS导电区组成，利用二氧化硅隔离层将双侧面超结槽栅区和LDMOS导电区分离，双侧面超结槽栅区由槽栅P+接触区、P型辅助耗尽区、漏极N‑buffer区、漏极N+区、漏极P+区组成，LDMOS导电区由源极P+区、源极N+区、P‑body、漂移区、漏极N‑buffer区、漏极N+区组成。本发明在传统LDMOS器件结构上，使用双侧面超结槽栅技术，在保证获得较高的击穿电压下，能够大幅降低器件的比导通电阻和增大器件的跨导，最终提高器件的Baliga优值FOM，并打破了硅极限。

本发明公开了一种N型横向器件及制备方法，该器件在传统横向双扩散金属氧化物半导体基础上，增设另一组栅极与电流通路，通过下多晶硅栅与上多晶硅栅协同控制，形成两条并联的源漏电流通路；同时在N—硅层內嵌入一个浮置P型硅层，在相同击穿电压下，可以提高N—硅层的掺杂浓度，从而进一步降低器件的导通电阻。制备方法中利用Si‑SiO2键合、离子注入、等离子刻蚀、原子层淀积及热氧化层生长等工艺方法制备器件，其制备工艺兼容标准CMOS工艺。在相同芯片面积下，本发明器件的电流密度提升至传统LDMOS的两倍以上；同时下层二氧化硅的设计，易于实现器件之间的完全隔离，提高器件的高温稳定性与抗辐照能力。