发明专利 已授权

碳化硅平面的芬顿反应和洛伦兹力协同抛光方法

📄 申请号:CN201910443699.1 📄 发布日:2026/08/04

著录项目信息

申请日
2019-05-27
公开号
CN110355613B
公开日
2021-02-26
申请人
浙江工业大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

碳化硅晶圆加工, 半导体制造, 功率半导体器件制造, 精密表面加工

摘要

一种碳化硅平面的芬顿反应和洛伦兹力协同抛光方法,碳化硅平面抛光通过低压磨粒流实现;低压磨粒流的流道顶面倾斜角度可调,通过更换置于加工装置内的角度块零件实现;芬顿反应是对碳化硅工件的表面预处理,在抛光前通过芬顿反应使碳化硅工件表面生成二氧化硅薄层,降低工件表面硬度;洛伦兹力为磁场对带电磨粒的作用力;磁场为置于加工装置后方的电磁铁所产生的平行于工件表面且垂直于磨粒流流动方向的强度可调均匀磁场,在所述磁场的作用下,流场中运动的带正电磨粒受到垂直指向工件表面的洛伦兹力作用,向工件表面运动;带正电磨粒为表面带正电荷的氧化铝磨粒。本发明抛光后工件表面粗糙度均匀、表面质量高、加工效率高。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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